在小平面的三维相场模型..docVIP

小平面生长的三维相场模型金城1,2)和裕子INATOMI2) 1)固化处理的国家重点实验室,西北工业大学,西安710072,中国邮件:jchwang@nwpu.edu.cn 2)日本宇宙航空研究开发机构(isa / JAXA),Sagamihara,日本神奈川。 (2010年4月21日收到; 8月16日)Torabi等人[1]提出的强各向异性系统模型用来模拟。模拟显示小平面胞的整个形成过程。结果还表明,在后期阶段形状选择成，过冷和增长速度呈线性关系,而在形状选择阶段是一种非线性关系。 关键词:相场模型温度梯度。 1.介绍 在薄膜的硅单晶和氧化物超导体的区熔再结晶处观察锯齿小平面胞生长。由于使掺杂剂隔离固 - 液界面的形态发展，。除了半导体高上的重要性，生长是一个重要的晶体生长过程，并一个有趣的例子。在最近30年来，生长机制，特别是形成机制。上官等[2用显微镜在透明和的单向凝固的有机化合物进行原位观察。他们的结论是胞晶生长的机理是由于溶质堆积。戴伊等[8，9研究了定向生长的透明萨罗小面结晶学和形态学转变，发现萨罗的生长界面是由各种组合的（111）面限制。 Inatomi等[6，7已进行了以干涉可视化技术的一系列的实验生长的机制。最近，Tokairin等[10]通过原位观察研究了硅晶界面的形成机制，潜热的负温度梯度放大扰动，导致面形成。虽然在这一领域已经采取了巨大的努力，然而，仍