防静电esd专题讲座.docVIP

9 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护一.静电ESD的产生和危害 二.认识ESD防静电元器件 三. ESD电路设计技巧 四. ESD选型和典型接口应用方案 五.雷卯简介及的细分市场的应用 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护人体产生的静电数据 环境湿度 人体活动 RH RH 10-20% 65-90% 在地毯上走动 35,000V 15,000V 在已烯树脂地板上行走 12,000V 250V 在工作台上操作 6,000V 100V 包说明书的已烯树脂封皮 7,000V 600V 从工作台上拿普通塑料袋 20,000V 1,200V 从垫有聚氨基甲酸泡沫的 工作椅上站起 18,000V 1,500V TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护电子器件的静电破坏电压 器件类型 静电破坏电压 器件类型 静电破坏电压 VMoS 30～1800 OP-AMP 190～2500 MOSFET 100～200 JEFT 140～1000 GaAsFET 100～300 SCL 680～1000 PROM 100 STTL 300～2500 CMoS 250～2000 DTL 380～7000 HMOS 50～500 肖特基二极管 300～3000 E／DMOS 200～1000 双极型晶体管 380～7000 ECL 300～2500 石英压电晶体 ＜10000 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护穿 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护静电对电子产品的损坏表现 效 ESD失效 100 80 60 40 20 0 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护静电的损失 产品失效（产品不可靠，不良率） 客户抱怨 高返修率 利润降低 ，品牌降低 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护一.静电ESD的产生和危害 二.认识ESD防静电元器件 三. ESD电路设计技巧 四. ESD选型和典型接口应用方案 五.雷卯简介及的ESD行业应用 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护静电放电标准 我国国家标准GB/T 17626.2《电磁兼容 试验和测试技术 静电放电抗扰度试验》 IEC 61000-4-2和GB/T 17626.2规定要求的最高试验电压是接触放电8kV,空气 放电15kV( 不包括开放等级的特殊电压,见下表) IEC 61000- 接触电压 4-2标准 (KV) 空气 放电 电压 (KV) 峰值接触 电流（A ） 接触电 流 @30ns(A ) 接触电流 @60ns（A ） Level 1 2 2 7.5 4 2 Level 2 4 4 15 8 4 Level 3 6 8 22.5 12 6 Level 4 8 15 30 16 8 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护ESD工作示意图 瞬时 箝制后的 电压曲线 电压 被保护 瞬时电流 电路 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护单向和双向ESD工作示意图 单向TVS/ESD IV特性曲线图 双向TVS/ESD IV特性曲线图 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护化 TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护ESD元器件各种参数 ESD有单向和双向之分，单向ESD 特性和稳压二极管相似，双向ESD 特性相当于两个稳压二极管反向串 联; 双向ESD可在正反两个方向吸收瞬 时大脉冲功率，并把电压箝制到预 定水平。 参数： VRWM（截止电压） VBR （击穿电压） VC（箝位电压或漏电压或残压） IPP （脉冲峰值电流） TVS ESD TSS MOV GDT PTC------------雷卯电子专业过压、过流保护ESD器件种类 类型 技术特征 原理 代表器件 优点 缺点 代表厂商 硅技术 ESD器件 硅技术 PN结的反向击穿 TVS管 最稳定/响应速度快 钳位电压很低 因本身不承受静电能量 所以抗冲击次数较高 具备防浪涌能