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如何提高陶瓷材料的性能指数 Sample preparation Magnetic-field alignment procedure Introduction Energy filtering method ? ZT↑ Sample preparation 基本概念 胶体（colloid）：一种粒径很小的分散体系，粒子的重力可以忽略，粒子之间的相互作用主要是短程作用力。 溶胶（Sol）：具有液体特征的胶体体系。分散的粒子是固体或者大分子，分散的粒子大小在1-1000nm之间。 凝胶（Gel）：具有固体特征的胶体体系。被分散的物质形成连续的网状骨架，骨架空隙中充有液体或气体，凝胶中分散相的含量很低，一般在1％～3％之间。 溶胶与凝胶的结构比较 溶胶－凝胶法的发展里程碑 1846年法国化学家J.J.Ebelmen用SiCl4与乙醇混合后，发现在湿空气中发生水解并形成了凝胶。 20世纪30年代W.Geffcken证实用金属醇盐的水解和凝胶化可以制备氧化物薄膜。 1971年德国H.Dislich报道了通过金属醇盐水解制备了SiO2-B2O-Al2O3-Na2O-K2O多组分玻璃。 1975年B.E.Yoldas和M.Yamane制得整块陶瓷材料及多孔透明氧化铝薄膜。 80年代以来，在玻璃、氧化物涂层、功能陶瓷粉料以及传统方法难以制得的复合氧化物材料得到成功应用。 溶胶－凝胶法的应用 溶胶－凝胶法的缺点 原料成本较高 存在残留小孔洞 存在残留的碳 较长的反应时间 有机溶剂对人体有一定的危害性 1）将源材料溶于溶剂中(水或有机溶剂)形成均匀溶液，溶质与溶液发生水解或醇解反应，反应生成物聚集成纳米级的微粒并形成溶胶。 2）溶胶经过蒸发干燥转变为凝胶。 3）用甩胶、喷涂或浸渍等方法将凝胶涂于基片上，再经干燥、烧结等处理而制得所需的薄膜。 溶胶-凝胶法制膜过程 溶胶-凝胶法制备薄膜的主要优点： *设备简单 *烧结温度低 *在室温下进行 *可制作大面积薄膜 *具有原子水平的均匀性 化学气相沉积(CVD)技术 —— 一种广为应用的制膜方法 CVD法技术的关键是，找到合适的气相化合物作为源材料。 何为化学气相沉积（CVD）？ 化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成或分解成固态物质沉积在加热的固态基体表面，从而制备薄膜的工艺技术。本质上属于原子范畴的气态传质过程。 其技术特征在于： （1）高熔点物质能够在低温下合成 （2）析出物质的形态在单晶、多晶、粉末、薄膜等多种 （3）可以制备多种薄膜材料 含有被镀物质的蒸气被载气(如Ar、H2)携带，或者是气相的源材料进入反应室。基片处于高温。气相物质沉积在基片上形成薄膜。 与物理沉积法不同，CVD不是在真空条件下工作的，而是在一定压力条件下工作。 由于分子平均自由程很短，在容器中不是作直线运动，因此，CVD法可在形状复杂的物体表面镀膜。 化学气相沉积过程 在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上 可以在常压或者真空条件下进行沉积 采用等离子辅助或热丝技术促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行 生成物的化学成分可以随气相组成的改变而变化，容易获得掺杂样品 可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜 可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物薄膜 化学气相沉积的特点 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是利用由输入射频功率源产生的等离子体裂解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，并可精确控制化学剂量比，实现薄膜的原价掺杂。 热丝化学气相沉积 (HWCVD) 是利用由高温热丝来分解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，沉积速率快。 激光诱导化学气相沉积 (LCVD) 是利用激光束的能量分解反应前驱物的CVD工艺。根据对激光束的控制，既可进行大面积的薄膜沉积，也可进行微米范围的局部微区沉积。 金属有机物化学气相沉积法（MOCVD），以金属有机化合物作为源材料的CVD法。 各种CVD技术 硅薄膜的热丝化学气相沉积包括以下过程： 1）反应气体（SiH4和H2）在高温热丝表面的分解过程； 2）分解的基元向衬底的输运过程； 3）在输运过程中与其它分子发生碰撞的气相反应过程； 4）生长基元到达衬底表面，在表面的吸附、反应及成膜过程。 例：热丝化学气相沉积过程 等离子体化学气相沉积设备(PECVD) 包括： 真空获得及测量系统 反应室 等离子体系统 供气控制系统 将反应气体硅烷（SiH4）和H2通入真空反应室