第四章 存储子系统.pptVIP

* * 第四章 存储子系统 本章需解决的主要问题： （1）存储器如何存储信息？ （2）在实际应用中如何用存储芯片组成具 有一定容量的存储器？ 第一节 概述 存储器的分类情况 1.按存储器在系统中的作用分类 （1）主存 （内存） 主要存放CPU当前使用的程序和数据。 速度快 容量有限 （2）辅存 （外存） 存放大量的后备程序和数据。 速度较慢 容量大 （3）高速缓存 存放CPU在当前一小段时间内多次使用的程序 和数据。 速度很快 容量小 CPU Cache 主存 外存 2.按存储介质分类 （1）半导体存储器 利用双稳态触发器存储信息 （动态存储器除外）。 信息易失 速度快， 非破坏性读出 （单管动态存储器除外）， （只读存储器除外）。 作主存、高速缓存。 （2）磁表面存储器 容量大， 长期保存信息， 3.按存取方式分类 （3）光盘存储器 利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。 速度慢。 随机存取： 非破坏性读出， 可按地址访问存储器中的任一单元， 作外存。 （2）磁表面存储器 速度慢。 利用光斑的有无表示信息。 容量很大， 非破坏性读出， 长期保存信息， 作外存。 （1）随机存取存储器 访问时间与单元地址无关。 RAM： 存取周期或读/写周期 固存： （2）顺序存取存储器（SAM） （ns） 可读可写 ROM： 只读不写 PROM： 用户不能编程 用户可一次编程 EPROM： 用户可多次编程 （紫外线擦除） EEPROM： 用户可多次编程 （电擦除） 速度指标： 作主存、高速缓存。 访问时读/写部件按顺序查找目标地址，访问时间与数据位置有关。 Flash Memory 等待操作 （3）直接存取存储器（DAM） 平均等待时间 读/写操作 两步操作 访问时读/写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关。 速度指标 （ms） 数据传输率 （字节/秒） 三步操作 定位（寻道）操作 等待（旋转）操作 读/写操作 速度指标 平均定位（平均寻道）时间 平均等待（平均旋转）时间 数据传输率 （ms） （ms） （位/秒） 第二节 半导体存储器 工艺 双极型 MOS型 TTL型 ECL型 速度很快、 功耗大、 容量小 电路结构 PMOS NMOS CMOS 功耗小、 容量大 工作方式 静态MOS 动态MOS 存储信息原理 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM （双极型、静态MOS型）： 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。 （动态MOS型）： 依靠电容存储电荷的原理存储信息。 功耗较大,速度快,作Cache。 功耗较小,容量大,速度较快,作主存。 （静态MOS除外） 4.2.1 静态MOS存储单元与存储芯片 1.六管单元 （1）组成 T1、T3：MOS反相器 Vcc 触发器 T3 T1 T4 T2 T2、T4：MOS反相器 T5 T6 T5、T6：控制门管 Z Z：字线，选择存储单元 位线，完成读/写操作 W W W、 W： （2）定义 “0”：T1导通，T2截止； “1”：T1截止，T2导通。 （3）工作 T5、T6 Z：加高电平， 高、低电平，写1/0。 （4）保持 只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导通，另一管截止的状态不变，∴称静态。 Vcc T3 T1 T4 T2 T5 T6 Z W W 导通，选中该单元。 写入：在W、W上分别加 读出：根据W、W上有无 电流，读1/0。 Z：加低电平， T5、T6截止，该单元未选中，保持原状态。 2.存储芯片 例.SRAM芯片2114（1K×4位） 外特性： 静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写。 地址端： 2114（1K×4） 1 9 10 18 A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND Vcc A7 A8 A9 D0 D1 D2 D3 WE A9～A0（入） 数据端： D3～D0（入/出） 控制端： 片选CS = 0 选中芯片 = 1 未选中芯片 写使能WE = 0 写 = 1 读 电源、地 4.2.2 动态MOS存储单元与存储芯片 1.四管单元 （1）组成 T1、T2：记忆管 C1、C2：柵极电容 T3、T4：控制门管 Z：字线 位线 W、 W： （2）定义 “0”：T1导通，T2截止 “1”：T1截止，T2导通 T1 T2 T3 T4 Z W W C1 C2 （C1有电荷，C2无电荷）； （C1无电荷，C2有电荷）。 （3）工作 Z：加高电平， T3、T4导通，选中该单元。 2.单管单元 （1）组成 （4）保持 T1 T2 T3 T4 Z W W C1 C2 写入：在W、W上分别加 高、低电平，写1/0。 读出：W、W先预充电至 再根据W、W上有无电流， 高电平，断开