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由PCM、 ICM和V(BR)CEO 在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。 图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 晶体管参数与温度的关系 1、硅管温度每增加8?C（锗管每12 ?C )， ICBO增大一倍。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小约 2 mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 2.1.6 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 表02.01 双极型三极管的参数 参 数 型 号 P C M mW 125 125 100 500 50W 100 250W I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 30 45 0.1 100 3DG123C 50 40 30 0.35 3DD101D 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 30 25 15 ≤ 0.1 300 3DK23 30A 400 325 8 注：*为 f? * * * * * * * * *   半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管 2.1 双极型半导体三极管 2.2 场效应半导体三极管 双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。 场效应型半导体三极管仅由一种 载流子参与导电，是一种VCCS器件。 第二章 晶体三极管 2.1.1 双极型半导体三极管的结构 2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5 半导体三极管的参数 2.1.6 半导体三极管的型号 2.1 双极型半导体三极管 2.1.1双极型半导体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图02.01所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。 图 02.01 两种极性的双极型三极管 e-b间的PN结称为发射结(Je) c-b间的PN结称为集电结(Jc) 中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）； 一侧称为发射区，电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter）； 另一侧称为集电区和集电极， 用C或c表示（Collector）。 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 2.1.2 双极型三极管的电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结外加正向电压，集电结外加反向电压。 现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系， 见图02.02。 (动画2-1) 图 02.02 双极型三极管的 电流传输关系 发射结加正偏时，从发射区将有大量电子向基区扩散，形成发射极电流，与PN结中的情况相同。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入