3 二极管.ppt

(1-*) 阳极 (1-*) 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 3.3.1 二极管的结构(physical structure) (1-*) (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号(symbol) anode cathode (1-*) 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 3.3.2 二极管伏安特性volt-ampere characteristic (1-*) 门坎电压 正向特性为指数曲线 反向电流为常量 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降v↓ →反向饱和电流IS↑，V(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 温度对特性的影响 (1-*) 特性参数值 材料 门坎电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1μA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十μA (1-*) (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 极间电容Cd (5) 反向恢复时间TRR 3.3.3 二极管的参数 (1-*) （1） 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2） 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 (1-*) （3） 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 (4) 极间电容Cd Cd =CD+CB (1-*) (5) 反向恢复时间TRR t i O IF IRM 0.1IRM TRR 扩散电容的影响 二极管由正向导通到反向截止需经历积累的多子的消散过程 (1-*) §3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.2 二极管正向V-I 特性的建模 1.理想模型（ideal diode) vD iD iD vD 当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此模型作近似分析 3.4.1 简单二极管电路的图解分析法 略，自学。 (1-*) 2.恒压降模型（offset model) 二极管导通后，认为其压降是恒定的，典型值为0.7V，只有当二极管的电流大于等于1mA时，才能应用该模型进行合理的近似计算。 vD iD iD vD (1-*) 3.折线模型(piecewise linear diode model) 认为其导通压降不是恒定的，而是随着二极管电流的增加而增加，用一个恒压源与一个电阻的串联进一步的近似。 rD近似为 200Ω。 vD iD iD vD Vth rD Vth≈0.5V (1-*) 4.小信号模型(small signal model) 当二极管在其导通后伏安特性的某一小范围内工作，可以把伏安特性看成一条直线。 小信号模型的微变等效电阻rd＝26（mv）/ID。 vD iD ΔiD ΔvD rd ΔvD ΔiD 3.4.3 模型分析法应用举例 (1-*) 稳压管（Zener diode) V I -IZT -IZmax 曲线越陡，电压越稳定。 VZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 §3.5 特殊二极管 -IZmin ?IZ ?VZ VZ0 (1-*) 稳压管稳压电路 VI IR VZ IZ IO VO 负载增加 IO IR VO (VZ) IZ IR VO (VZ) 电源电压波动VI增加使 VO IR IZ VO VZ (1-*) （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 稳压二极管的主要参数: （1）稳定电压 VZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 (1-*) VBB 负 载 IZ IL IR 稳压管的选择 首先根据稳定电压预选稳压管2CW107，然后选择限流电阻： 根据电路实际