3.1 半导体三极管.ppt

晶体三极管的型号 国家标准对半导体晶体管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 思考：试判断三极管的工作状态 * * 3.1 半导体三极管(BJT) 一、基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 二、 电流放大原理 B E C N N P VBB RB VCC 基区空穴向发射区的扩散电流IEP可忽略。 IBN 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射结电子扩散电流IEN。 B E C N N P VBB RB VCC 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IBE ICN 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。 IB=IBN-ICBO?IBN IB B E C N N P VBB RB VCC IE ICBO ICN IC=ICN+ICBO ?ICN IBN 内部载流子传输过程演示 电路符号 B C E PNP B C E NPN 箭头方向表示发射结加正偏时的实际电流方向 晶体三极管又称双极性器件，是电流控制型器件，其主要作用是放大电信号。 IB IE IC IB IE IC 三种连接方式 共发射极接法、共集电极接法、共基极接法 无论哪种连接方式，要使BJT有放大作用，都必须保证发射结正偏、集电结反偏，其内部的载流子传输过程相同。 ICN与IBN之比称为共射直流电流放大倍数 ICN与IE之比称为共基极直流电流放大倍数 电流传输方程 因 ≈1, 所以 1 注意: 1、只有三极管工作在放大模式，上述基本关系式才成立 2、上述电流分配基本关系式与组态无关 3、在一定的电流范围内，?与?为常数，则IC与IE，IC与IB之间成线性控制关系。 电流传输方程 输入特性曲线 输出特性曲线 三、特性曲线（共射电路） IC mA V V VCE VBE RB IB VCC VBB 实验线路 ?A 1.输入特性曲线 vCE ?1V IB(?A) vBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管vBE?0.6~0.7V 锗管vBE?0.2~0.3V vCE=0V vCE =0.3V 结论：三极管输入特性与二极管相似,但vCE增大时，曲线略向右移 若忽略vCE的影响，三极管的输入端可近似用二极管表示 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当VCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 2.输出特性曲线 （NPN） VBE ? 0.7V VCE 0.3V （PNP） VBE ?- 0.7V VCE -0.3V iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中vCE?vBE,集电结正偏，?iBiC，vCE?0.3V称为饱和区。 （NPN） VBE ?0.7V VCE 0.3V （PNP） VBE ?-0.7V VCE -0.3V iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : iB=0,iC=ICEO,vBE 死区电压，称为截止区。 （NPN） VBE 0.7V （PNP） VBE -0.7V 共射输出特性演示 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： iC=?iB , 且 ?IC = ? ?IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：vCE?vBE ， ?iBiC，vCES?0.3V (3) 截止区： vBE 死区电压， iB=0 ， iC=IC