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* 多片程序存储器的扩展（线选法2） 使用两片2764扩展一个程序存储器系统。 P0.7~P0.0 P2.4~P2.0 I II 8031 * * 说 明： 采用线选法2编址。以P2.7作片选信号： P2.7=0时，选中I号片，其地址范围为：0000H~ 1FFFH 0 × ×0, 0000,0000,0000B ~ 0 × ×1,1111,1111,1111B P2.7=1时，选中II号片，其地址范围为：8000H~ 9FFFH 1 × ×0, 0000,0000,0000B ~ 1 × ×1,1111,1111,1111B * 多片程序存储器的扩展（译码法） 使用8片2764扩展一个程序存储器系统。 * 说 明： 地址空间连续，无重叠 27640的地址范围：0000H~ 1FFFH 0000, 0000,0000,0000B ~ 0001,1111,1111,1111B 27641的地址范围：1000H~ 3FFFH 0010, 0000,0000,0000B ~ 0011,1111,1111,1111B 27642的地址范围：4000H~ 5FFFH 0100, 0000,0000,0000B ~ 0101,1111,1111,1111B 27643的地址范围：6000H~ 7FFFH 0110, 0000,0000,0000B ~ 0111,1111,1111,1111B 27644的地址范围：8000H~ 9FFFH 1000, 0000,0000,0000B ~ 1001,1111,1111,1111B 27645的地址范围：A000H~ BFFFH 1010, 0000,0000,0000B ~ 1011,1111,1111,1111B 27646的地址范围：C000H~ DFFFH 1100, 0000,0000,0000B ~ 1101,1111,1111,1111B 27647的地址范围：E000H~ FFFFH 1110, 0000,0000,0000B ~ 1111,1111,1111,1111B * 6.2.2 数据存储器并行扩展 扩展的数据存储器称为外部RAM。 下面以Intel 6116（2K×8位）为例说明扩展外部RAM的原理。 * 6116的引脚功能： A10～A0： 地址线 D7～D0： 数据线 CE： 片选信号 OE： 数据输出允许信号 WE： 写选通信号 VCC： 电源（+5 V） GND： 地 6116共有 4 种工作方式： 状态 CE OE WE D7 ~ D0 未选中 1 × × 高阻抗 禁止 0 1 1 高阻抗 读出 0 0 1 数据读出 写入 0 1 0 数据写入 * 说 明： 数据存储器扩展与程序存储器扩展在数据线、地址线的连接上是完全相同的，所不同的是控制信号。 程序存储器使用PSEN作为读选通信号，而数据存储器则使用RD和WR分别作为读∕写选通信号。 在扩展连接中，以RD信号接6116的OE引脚，以WR信号接6116的WE引脚，进行外部RAM芯片的读∕写控制。 上图中系统只有1片6116，不需要片选信号，所以把CE引脚直接接地，若假定P2口未使用的高位地址线的状态为0，则这时6116的地址范围为：0000H~07FFH。 * 1 2 多片数据存储器的扩展（线选法） 使用2片6116扩展一个数据存储器系统。 P2.4 P2.3 * * * 61161的寻址范围： 1000H ~ 17FFH ×××1,0000,0000,0000 ~ ×××1,0111,1111,1111 61162的寻址范围： 0800H ~ 0FFFH ×××0,1000,0000,0000 ~ ×××0,1111,1111,1111 说 明： * 同时扩展8KB的RAM和8KB的ROM（线选法） P2.6 P2.7 * 2764（ROM）接P2.7，地址范围：0000H ~ 1FFFH 0××0, 0000, 0000, 0000 ~ 0××1, 1111, 1111, 1111 6264（RAM）接P2.6，地址范围：0000H ~ 1FFFH ×0×0, 0000, 0000, 0000 ~ ×0×1, 1111, 1111, 1111 由于两种存储器都是由P2口提供高位地址，P0口提供低8位地址，故它们的地址范围相同，都是0000H~1FFFH。但ROM的读操作由PSEN信号控制，而RAM的读和写分别由RD和WR信号控制，因此不会造成操作上的混乱。 说 明： * 6.2.3 使用RAM芯片扩展可读∕写的程序存储器 开发小型简单的单片机应用系统时，为了方便，常在本系统中进行用户程序调试。但程序存储器是只