项目一元器件识别与检测概要.ppt

* 1.4.1 结型场效应管 结型场效应管的结构 栅极 源极 漏极 结构示意图和符号： N型导电沟道 两边是P区 基底 ： N型半导体 栅极 源极 漏极 d g S d g S * 一、工作原理（以N沟道为例） 为使N沟道结型场效应管正常工作，应在栅源之间加负电压，以保证耗尽层反偏；在漏源之间加正电压，以形成iD 1、UDS=0V时，UGS对导电沟道的控制作用 UGS=0有导电沟道R较小 UGS(off)UGS0 沟道变窄R增大 UGS?UGS(off) 沟道夹断R≈∞ 耗尽层闭合，沟道消失时的UGS称为夹断电压UGS(off) * 2、UGS(off)UGS0 时，UDS对漏极电流iD的影响 UDS=0,iD=0 UDS增加（未夹断） iD增加UGDUGS(off) 宽 UDS再增加到预夹断UGD=UGS(off) UDS再增加，夹断区加长, iD不再增加UGDUGS(off) * 3、UGDUGS(off) 时，UGS对漏极电流iD的控制作用 UGD= UGS -UDS UGS(off) 时，UDS再增加，夹断区加长, iD不再增加—→恒流区。此时，可通过改变UGS来控制iD的大小。 ∣UGS∣减小， iD增加。故称场效应管为电压控制元件。 低频跨导gm： 场效应管用gm来描述动态栅源电压对漏极电流的控制作用。 * 二、场效应管的输出特性和转移特性曲线 UGD=UGS(off) UGS(off) = -4V 饱和漏极电流 * P沟道结型场效应管 d g S d g S P N N g栅极 S源极 d漏极 结构示意图： 符号 * 预夹断曲线 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 转移特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP * 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107Ω以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅型场效应管可以很好地解决这些问题 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 * 1.4.2 绝缘栅型场效应管 绝缘栅型场效应管(IGFET)又称MOS管，输入电阻可达1010?以上，温度稳定性好，集成度高，广泛的应用于大规模、超大规模集成电路中。 分类：N 沟道增强型场效应管 N 沟道耗尽型场效应管 P 沟道增强型场效应管 P 沟道耗尽型场效应管 一、N 沟道增强型场效应管 * 1、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 UDS=0且 UGS=0时 ID=0 UDS=0且 UGS0时 产生导电沟道时的栅源电压UGS称为开启电压，用 UGS(th)表示。 * UDS增加（未夹断） iD增加UGDUGS(th) UDS再增加到预夹断UGD=UGS(th) UDS再增加，夹断区加长, iD不再增加。UGDUGS(th) UGSUGS(th) 时 * 2、 N沟道增强型MOS管的特性曲线 转移特性曲线 输出特性曲线 UGD=UGS(off) 电流方程： * N 沟道耗尽型 P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 g s d g s d * 场效应管的符号及特性 N 沟道增强型 N 沟道耗尽型 N 沟道结型 P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 P 沟道结型 * 五、 场效应管的主要参数 开启电压UGS(th) ：UDS 一定时，使 iD 大于零所需的最小|UGS|值。 夹断电压UGS(off)：UDS 一定时，使 iD近似为零时的UGS值。 饱和漏极电流IDSS：对于耗尽型管，在UGS=0情况下产生预夹断时的漏极电流。 4.低频跨导gm：用来描述动态栅源电压对漏极电流的控制作用 5.极间电容 6.最大漏极电流IDM 7.击穿电压 8.最大耗散功率PDM * 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 场效应管不但具有双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、能耗低、使用灵活、集成度高等优点。 * * * * 3、 二极管或门电路 0V 3V A B Y D D 1 2 R 3kΩ A B Y=A+B ≥1 电压功能表 VA VB VY 0V 0V 0V 3V 3V 0V 3V 3V 0V 2.3V 2.3V 2.3V 硅管 UD=0.7V * 二. 二极管的微变等效电路 当二极管外加正向电压时，将有一直流电流，用 二极管特性曲线上的点Q表示。 rd 称为微变电阻 二极管的动态电阻可用右图表示： 若在Q点基础上外加微小的变化量,则可用以Q点为切点的直线来近似.即将二极管等效为一个动态电阻rd 。 * 电路波形分析 直