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大连理工大学 余 虹 * 作者 余 虹 量子物理的革命却改变了整个世界 一、晶体的能带和导电性 4.3 量子物理引起的革命 4.3.1 半导体 1947年，美国科学家肖克莱、巴丁、布拉顿发明晶体管；1958年，半导体集成电路…… 1. 能带 量子力学计算表明，晶体中若有N 个原子，由于各原子间的相互作用，对应于原来孤立原子的每一个能级,变成了N 条靠得很近的能级,称为能带。 2p 2s 1s ? 高能级能带宽，?E 大。 ?点阵间距越小， ?E 大。 ? ?E 大小由晶体性质决定，与晶体所包含的原子数N无关。N??能带中能级的密集程度增加。 r E 0 a 离子间距 2.能带的特点 ?E——能带宽 能带中电子排布的原则 ?服从能量最小原理。 ?服从泡利不相容原理 。 无外界提供能量时，电子首先应占领低能级。 1s 2s 2p 空带 满带 价带 导带 禁带 禁带 3. 能带的分类与导电性 若N ~1023, 则两能级的间距约 10-23 eV。 固体按导电性能的高低可以分为：导体、 半导体 、绝缘体 。它们的导电性能不同，是因为它们的能带结构不同。 导 体 绝缘体 半导体 ?Eg = 3eV~6eV ?Eg = 0.1eV~2eV 二、 导体 绝缘体 半导体 空带 价带 满带 禁带 导带 导带 导带 （1）电子导电——电子运动形成电流，载流子是电子。 （2） 空穴导电——空穴运动形成电流，载流子是空穴。 二、 半 导 体 在外场作用下，纯净半导体材料满带上的电子跃迁到空带，满带中出现空穴，都成了导带。电子、空穴称本征载流子。 满 带?导 带 空带?导 带 （3） 本征导电—— 电子、空穴同时参于导电。 1.本征半导体 ——纯净的半导体。 ?Eg 2. 杂质半导体和半导体的类型 要使半导体导电性能好—— 在本征半导体中掺入少量其他元素的原子——对半导体而言是杂质。 要保证杂质原子间距很大，电子运动范围不重叠——杂质能级是单能级 空带 满带 空带 满带 受主能级 施主 能级 电子导电—— n 型半导体 空穴导电—— p型半导体 导带 导带 n 型半导体 举例 4 价的硅+ 5 价的磷 n 型半导体载流子以电子为主。 施主能级 ?E D ?Eg 空带?导 带 p 型半导体 举例 4 价的硅+ 3 价的硼 Si Si Si Si Si Si Si P Si Si Si Si Si Si Si B 受主能级 ED 满 带?导 带 p 型半导体载流子以空穴为主。 P N 一片本征半导体，两边各掺适量的高、低价杂质 N 侧有许多自由 电子 P 侧有许多空穴 两侧都是电中性 自由电子向空穴扩散?两侧净电荷积累 Θ Θ Θ Θ ? ? ? ? N侧剩余正电荷 P侧剩余负电荷 形成电偶极层——PN 结 U0 结电场E0，形成势垒U0 ，阻止扩散。 PN 结做成晶体二极管。 E0 PN 结形成 三、半导体的应用——PN 结 4.3.2 超导体 一、超导现象与机理 1.某些导体在低温时电阻急剧下降，以致完全消失。 2.超导体——处于超导状态的导体。 3.超导机理 低温下导体中的电子一对一对结合构成 “库珀对”，每一对都以单个粒子的形式存在。这些粒子抱成一团流动，不顾及金属离子的阻力，好像是液体一样在流动。 10 20 T (K) ?(?/m) 0.02 0.01 Hg 4.15 TC临界温度 7.19 Pb 铅 5.30 V 钒 3.72 Sn 锡 1.20 Al 铝 4.15 Hg 汞 TC 符号 材料名 1.零电阻效应 二、超导体的特性 2.完全抗磁性 抗磁材料——磁化电流产生的磁场减弱材料内部的磁场。 普通材料转化为超导材料的过程中，材料表面的电流所产生的磁场能完全抵消其内部的磁场——迈斯纳效应。 T TC 降 温 TTC TTC 超导体 进入磁场 无磁感应线穿过超导体！ 导体 超导体 3.存在临界磁场HC T TC 降 温 TTC 撤去磁场 根据电磁感应定律导线环内将产生感应电流，而感应电流又是产生磁场的原因。因此在超导状态下，撤去磁铁，磁场却仍然存在，只要条件不变导线环内的电流会长期保持下去 但是，再外加磁场并且超过临界值就会破坏超导性。 导体 超导体 4.3.3 纳米材料 一、什么是纳米材料？ 微观结构至少在一维方向上受纳米尺度(0.1——100nm)调制的各种固体超细结构材料。 纳米材料由纳米粒子(0.1～100nm超微颗粒) 组成，是处在原子簇和宏观物体的过渡区域——介