第五章非平衡载流子讲解.ppt

三、陷阱效应 1. 有效陷阱： 2. 电子陷阱是存在于P型材料中 空穴陷阱是存在于N型材料中 四、非平衡载流子的运动 1.载流子的扩散电流和漂移电流 2.爱因斯坦关系 3.少子的电流连续方程 ●稳态时非平衡少子的分布 ●光激发非平衡载流子的衰减 …… 第五章思考题与自测题 区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同？什么叫非平衡载流子？什么叫非平衡载流子的稳定分布？ 掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？试从物理模型上予以说明。 在平衡情况下，载流子有没有复合这种运动形式？为什么着重讨论非平衡载流子的复合运动？ 为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？ 在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的，但为什么说半导体处于非平衡状态？ 说明直接复合、间接复合的物理意义。 区别：复合效应和陷阱效应，复合中心和陷阱中心，俘获和复合，俘获截面和俘获几率。 第5章 作业 P 180 4，5，8，9，10，13，14，16 代入 对于空穴： 室温时：kT=0.026 eV 例：Si中电子的扩散系数 ?n= 1350 cm2/Vs 例：室温本征Si中同时掺入1016/cm3的As和1014/cm3的Au，求非平衡少子的扩散长度. 解： 非平衡少子的寿命(间接复合)： 少子(空穴)的扩散系数： 少子(空穴)的扩散长度： 爱因斯坦关系 适用于非简并半导体中的电子和空穴 一种简单的推导方法： 以迁移率表示的电流密度： J=Jp+Jn 5.8 连续性方程 —— 少子的运动方程 连续性方程 扩散 漂移 产生 复合 连续性方程的应用 重点：理解连续性方程的意义并能应用 1．电流连续性方程的一般形式 影响因素主要有： ● 由于电流的流通（载流子的扩散 和漂移运动），从而使体内的载流子积累 ? ● 由于载流子复合使非子浓度 ?。 ● 由于内部有其它产生，使载流子 ?。 以N型半导体为例 (1) 空穴流通 取一小体积元dV，横截面为单位面积 某一时刻积累在dV中的空穴数为： x x x+△x Sp(x)→ →Sp(x+△x) 积累在体积dV中的空穴数为： x x x+△x Sp(x)→ →Sp(x+△x) x 处积累的空穴数为： ——由于流通(扩散、漂移运动)导致的载流子 积累 (3) 复合率： 少子(空穴)浓度随时间的变化率： (2) 其它因素的产生率 gp 扩散 漂移项 漂移扩散耦合项 其它 产生 复合 空穴随时间的变化率 对于P型材料，少子连续性方程： 扩散 漂移项 漂移扩散耦合项 其它 产生 复合 电子随时间的变化率 (1) 稳态扩散方程 光照均匀掺杂的N型半导体，无电场，无其它产生时的稳态方程。 E=0，gp=0， ●稳态 ●均匀掺杂： ●无电场 2．连续性方程的应用 (2) 光载流子的复合过程 均匀掺杂的N型半导体，光均匀照在半导体上，其内部均匀地产生非子，没有电场，内部也没有其它产生，求光照停止后的少子衰减方程。 ●均匀掺杂，均匀光照： ●无电场：E=0 ●内部无其它产生：gp=0 t=0，停止光照，?p(0)=?p0，?A=?p0 (3) 稳态连续性方程 假设材料为N型材料，均匀掺杂，内部也没有其它产生，沿x方向加均匀恒定光照，并加均匀电场，求达到稳态时少子的分布规律。 ●均匀掺杂： ●均匀电场： ●稳态： ●内部没有其它产生：gp=0 稳态时少子的连续方程为： 令： 牵引长度 解： 其中： A=0 x=0 对很厚的样品： ● 电场很弱 ?pE?p 很小，Lp(E) Lp x △p 0 △po Lp △po/e Lp 扩散长度 ● 电场很强 x △p 0 △po Lp(E) △po/e Lp(E) 牵引长度 (4) 少数载流子脉冲在电场中的漂移 均匀掺杂的N型半导体，光脉冲局部照在半导体上产生非子，内部也没有其它产生。 A）没有电场 t x 0 hv t x 0 hv 求解后得到： x 0 Δp t=0 t1 t2 t2t1t=0 注入的空穴由注入点向两边扩散，同时不但复合，其峰值随时间下降。 B）有均匀电场 t x 0 hv 求解后得到： 可计算漂移迁移率： d为脉冲间隔t内漂移的距离 x 0 Δp t=0 t1 t2 t2t1t=0 d 一、非平衡载流子的产生、复合，寿命、复合率的基本概念 小注入/大注入 二、非平衡载流子的复合 1.直接复合： 小注入时，非子寿命决定于多子浓度 大注入时，非子寿命决定于注入的非子