氮化铝半导体简介.pptVIP

氮化铝（AlN）半导体 梁龙跃 201411922 1.前言 半导体材料的发展： 1.第一代半导体：以Si，Ge半导体材料为代表； 2.第二代半导体：以GaAs，InP半导体材料为代表； 3.第三代半导体：以碳化硅（SiC），氮化镓（GaN），氧化锌（ZnO），金刚石和氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度宽，击穿电场高，热导率高，电子饱和速率高以及抗辐射能力高等优点。 从第三代半导体材料和器件研究发展现状来看，较为成熟的是SiC和GaN半导体材料，其中SiC技术最为成熟，而ZnO、金刚石和AlN等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。 2.AlN半导体的结构与性质 氮化铝（AlN） AlN的晶体结构 1862年，Bfiegleb和Geuther利用熔融态Al与N2反应，第一次成功合成AlN化合物；AlN晶体具有稳定的六方纤锌矿结构，晶格常数a＝3.110?，c=4.978?；纯AlN晶体是无色透明的，但由于晶体中存在的杂质离子和本征缺陷，AlN晶体通常呈黄色 或琥珀色； 根据实验验证和理论推算，AlN在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中具有最大的直接带隙宽度，约6.2eV。 AlN 的多种优异性能： 1.禁带宽度6.2eV, 并具有直接带隙,是重要的蓝光和紫外发光材料; 2.热导率高, 电阻率高, 击穿场强大, 介电系数小,是优异的高温、高频和大功率器件用电子材料; 3.沿c 轴取向的AlN 具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能, 是优异的声表面波器件用压电材料; 4.氮化铝晶体与氮化镓晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数,是外延生长氮化镓基光电器件的优选衬底材料. 2.AlN半导体的结构与性质 AlN与其他常用半导体材料特性对照表 2.AlN半导体的结构与性质 3.AlN单晶的生长 AlN晶体生长的发展历史： 1.1956年，Kohn等第一次生长出AlN单晶，直径0.03mm，长度0.3mm； 2. 1976年，Slack和McNelly利用升华凝结法（sublimation recondensation）成功生长出AlN晶锭； 3.目前，实验室中已经生长出直径大于2英寸的AlN晶锭，但仍有许多需要解决。 AlN晶体生长的难点： 1.AlN晶体具有极高的熔点温度（~3500K）和较大的分解压，正常压力条件下，AlN在熔化前即会发生分解，因此无法从熔体中生长AlN晶体； 2.AlN在高温下分解出的铝蒸汽很活泼，易腐蚀坩埚，需要选择耐高温、耐腐蚀的坩埚材料。 3.AlN单晶的生长 AlN晶体的生长方法： （1）Direct nitridation of aluminum（铝直接氮化法） 1. 1960年，Taylar和Lenie第一次利用Al和N2高温反应的方法制备AlN单晶，并成功制得直径0.5mm，长度30mm的AlN晶棒和直径2~3mm的AlN单晶薄片； 2.Schlessre等通过在N2气氛中气化金属Al的方法，成功制得面积50mm2的AlN单晶薄片,反应温度2100oC,反应时间2hrs。 （2）High nitrogen pressure solution growth（高氮气压溶液生长法） 当压力大于500MPa时，Al与N2的高温燃烧反应速率减慢，这是因为N2在高压条件下具有较高的热导率和较大的热容，导致燃烧反应过程中的热量损失增加；当压力大于650MPa时，燃烧反应被完全终止；此外，高压条件下N2的密度较大，有利于减少Al的蒸发和扩散； 基于上述机理，Bockowski等利用HNPSG法成功制得白色针状AlN单晶，直径1mm，长度10mm；实验方案：将N原子溶解到液态Al中，温度1800-2000K, N2压力2GPa；当溶液具有较高的过饱和度时，将得到纤锌矿结构的AlN单晶，但是过高的过饱和度将导致过高的生长速度，易得到中空针状结构的AlN单晶。 3.AlN单晶的生长 （3）Hydride vapor phase epitaxy growth（氢化物气相外延生长法） 1.Akasaki等第一次提出利用HVPE法制备AlN单晶，主要化学反应方程式： AlCl3(g)+NH3(g)一AlN(g)+3HCl(g) 反应温度600-1100oC； 2.对上述方法进行改进：以NH3和HCl作反应活性气体，Ar作承载气体，首先气态HCl与金属Al反应生成AICl3，然后生成的AICl3再与NH3反应生成AlN,主要化学反应方程式： HCl(g)+Al(l)一AlCl(g) ， A1Cl(g)+NH3(g)一AlN(s)+HCl(g)+H2(g) 通过上述方法，分别在SiC衬底和蓝宝石衬底上制得厚度75mm和20mm的AlN晶片，直径2英寸；