半导体制程技术导论Chapter_1导论.pptVIP

* 石英基板 铬金属图案 薄胶膜 相位移涂布物 相位移光刻版展示图(光刻/倍缩光刻) 光刻工艺：借助光刻胶将印在掩膜上的图形结构转移到硅片表面 光刻胶：批光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物，用于在半导体基件表面产生电路的形状。 正光刻胶：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。 负光刻胶：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。 * 光刻和倍缩光刻 图片提供:SGS Thompson * 晶圆制程 材料 设计 光刻版 无尘室生产厂房 测试 封装 最后测试 热处理 光刻 离子注入与光刻胶 金属化 化学机械研磨 介质沉积 晶圆 蚀刻与光刻胶 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 半导体制程技术导论Chapter 1导论 王红江， Ph. D. fwang@ 江苏科技大学 参考书籍 Hong Xiao. Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology. SPIE. 2012 萧宏. 半导体制造技术导论. 电子工业出版社，2012 施敏. 半导体器件物理与工艺. 苏州大学出版社, 2002 Peter Van Zant. 芯片制造——半导体工艺制程实用教程. 电子工业出版社 Michael Quirk, Julian Serda. 半导体制造技术. 电子工业出版社. 2009 * * 目标 读完本章之后，你应该能够： 熟悉半导体相关术语的使用 描述基本的集成电路制造流程 简明的解释每一个制程步骤 将你的工作或制造产品与半导体制造工艺相结合，并建立它们之间的联系 * 主题 简介 集成电路组件和设计 半导体制程 未来的走向 * 简介 第一个晶体管,ATT贝尔实验室, 1947 第一个单晶锗, 1950 第一个单晶硅, 1952 第一个集成电路组件, 德州仪器, 1958 第一个硅集成电路芯片, 费尔查德照相机公司, 1961 * 第一个晶体管, 贝尔实验室, 1947 照片提供:ATT档案财产，授权同意本书翻印使用 * 约翰?巴定，威廉?肖克莱 和 华特?布莱登 照片提供:Lucent Technologies Inc. 第一个晶体管的发明者 * 1958年德州仪器的杰克克毕制造出的第一个集成电路芯片(棒) 照片提供: 德州仪器 * 1961年费尔查德摄影机公司在硅晶圆上制出的第一个集成电路 照片提供:Fairchild Semiconductor International * 摩尔定律 1964年哥登?摩尔(英特尔公司的共同创始人之一) 价格不变之下，计算机芯片上的组件数目，几乎每12个月就增加一倍 1980年代减缓至每18个月 到目前仍属正确，预期可以维持到2015-2020年 * 摩尔定律(英特尔版本) Transistors 10K 100K 1M 10M 1975 1980 1985 1990 1995 4040 8080 8086 80286 80386 80486 Pentium Pentium III 1K 2000 * IC的尺度---集成电路芯片的积体化层级 积体化层级 缩写 芯片内的组件数目 小型集成电路(Small Scale Integration) SSI 2 ~ 50 中型集成电路(Medium Scale Integration) MSI 50 ~ 5,000 大规模集成电路(Large Scale Integration) LSI 5,000 ~ 100,000 极大规模集成电路(Very Large Scale Integratio