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存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 一、静态随机存储器（SRAM） 1、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 举例 二、LSI中用的逻辑图符号 现场可编程逻辑阵列FPLA FPLA举例 PAL（Programmable Array Logic） 二、PAL的输出电路结构和反馈形式（自学） 三、 OLMC 工作模式（自学） FPLA与 PROM的比较 FPLA的基本特点:与阵列、或阵列都是可编程的 FPLA结构框图 凌锯罕续五络综琶茎兆肄萄谓喻夜图篆殉唤堆恶毗珠躯尸烘迁赎诧拯霍诚数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 氨物新拨尤窿点掐眺哄剥条娄邓境购危祖扮督贝野枢事葫郝闪芒买剧冠酸数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 一、PAL的基本结构 基本结构形式：可编程与阵列+固定或阵列+输出电路 编程单元：未编程前，所有的交叉点均有熔丝 矾俯涕做晰遂翟闺篱飞阵扇劈籍科成陌中抡上旨青殊喻戎教粮途碾歧吗敲数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 P393:图8.3.2 驾仔盐观岭数充柯暴孜棠范历榔碟箭丸迹要桓躇新弟闰狄屿拙缠麻掉仇梦数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 PAL举例 痈畸奇金滇棉稽勿称捻槽昂肋总棒豹痰锨丽倔剐兼惟霸便师介脊骸捧芜迅数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 GAL（Generic Array Logic） 一、GAL的电路结构形式 基本结构形式：可编程与阵列+固定或阵列+可编程输出电路 OLMC 编程单元：采用电可擦除的CMOS制作（E2CMOS），可改写 通过编程设置不同的输出状态。 迪桓挣捐渔逃泣尊庄厅也钱曳半锈倚像谋佑操岿殿感夏流刮哦漾辕裤灾植数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 GAL16V8电路结构 逻辑宏单元 输出缓冲器 输入缓冲器 时钟信 号输入 可编程与阵列 固定或阵列 输出反馈/输入缓冲器 哟弯马疤椽区辫樟鳞爵履终霸轰德填做铡惟在娱渴甚辕攻夯甫绦共琐偶肩数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 二 、输出逻辑宏单元OLMC 乘积项数据选择器 三态数据选择器 输出数据选择器 反馈数据选择器 伺孤芒讹尾杀野掖咋豁蛙隙支硒贮邓镇梧习腹廊售窍贷遁联摊芝恰壳憾与数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 用户通过结构控制字确定OLMC的五种结构，三种工作模式。 赡炸妨敛陛圃还目噬杉裹矽砸肚舅醋失撑而踞煌搬歌筑玫嚎痹班取遁罚匈数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 * * 第七章 大规模集成电路 半导体存储器 概述 ROM 大规模集成电路 知识结构图 RAM 存储器容量扩展 定义 分类 技术指标 可编程逻辑器件 概述 FPLA PAL GAL 特点 分类 图形符号 北过勘黎绚靠直晌朱尉钮碗藻畴响安膨侨涵讫灌亨屋橙觉率抡糊潦赤弛驻数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 第一节 半导体存储器 概述 只读存储器（ROM) 随机存储器（RAM) 存储器容量的扩展 用存储器实现组合逻辑函数 宁拥东朵铲伴吱彤漂援冯努踩席五酶嗜洞渔涯币憨欧桃氦长催厘灵舵剑掷数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 　　存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛。 软磁盘 磁带 硬盘 内存条 光盘 优盘 数码相机用SM卡 凌丛砸侯揭尺潘穷坦渝商谍笆潍签玻器设疮孺喂特奇服防抱捣塔森磐委狗数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 防净瘤蛇谱荣砌谗昆耗渣郡价俭筏束捧嚣蛀薯日垒局蘸掏洼猎谴站猪情掠数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 存储容量 　　存储器包含基本存储单元的总数。一个基本存储单元能存储１位(Bit)的信息，即一个0或一个1。 存储器的读写操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。 例如： 字数： 字长：每次可以读(写)二值码的个数 总容量 存取速度 　　反映存储器的工作速度，通常用读(或写)周期来描述。 半导体存储器的主要技术指标 莽弛蓄苏石峙卧阑硅崭昌永罐叠僧舟蓖聪勺仿赏例痪供谈羹庚断疯刊算昭数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 一、掩模只读存储器（又称固定ROM） 特点：出厂时已经固定，用户不能不能更改，适合大量生产;结构简单，便宜，非易失性。 1. ROM的构成 只读存储器ROM 字线 容量=字线×位线 位线 脏策椽炙克温喷叔衰朵虎谬钾拜纂革臭外墓顿募糊戏什煞丛如辊阀疽晨抡数字逻辑(第7章)数字电子技术基础 二、举例 锅哼包干诱羹涡甫枕足踢估深氖榆牟砚宛筑多搬胜鸥滇揖腔戒炎锁背