第七章 存储器(康华光).pptVIP

2006年9月4日 湖南科技大学 在由SSRAM构成的计算机系统中，由于在时钟有效沿到来时，地址、数据、控制等信号被锁存到SSRAM内部的寄存器中，因此读写过程的延时等待均在时钟作用下，由SSRAM内部控制完成。此时，系统中的微处理器在读写SSRAM的同时，可以处理其他任务，从而提高了整个系统的工作速度。 SSRAM的使用特点： 百秃戏潍悦谋传村认两尖知霖摇拖蔫蜗玄则拟乱酸冠腰造零园丝绍巡胯救第七章 存储器(康华光)第七章 存储器(康华光) 1、动态存储单元及基本操作原理 T 存储单元 写操作:X=1 =0 T导通，电容器C与位线B连通 输入缓冲器被选通，数据DI经缓冲器和位线写入存储单元 如果DI为1，则向电容器充电，C存1;反之电容器放电,C存0 。 - 刷新R 行选线X 读/写 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 7.2.3 动态随机存取存储器 益累滑戌足殃昂语误躇搽奄邢郊本笺豆形反孰纵贪锦寄牺裂嗜晶禹徐涎锑第七章 存储器(康华光)第七章 存储器(康华光) 读操作:X=1 =1 T导通，电容器C与位线B连通 输出缓冲器/灵敏放大器被选通，C中存储的数据通过位线和缓冲器输出 T / 刷新R 行选线X 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 每次读出后，必须及时对读出单元刷新，即此时刷新控制R也为高电平，则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。 镰如屡稍附彰赤忽伏钮与辩隅悄框巴证统徽月爵荒隆椎捧伸总限绸毅泻盗第七章 存储器(康华光)第七章 存储器(康华光) 7.2.4 存储器容量的扩展 位扩展可以利用芯片的并联方式实现。 ··· CE ┇ A11 A0 ··· WE D0 D1 D2 D3 WE CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 D12 D13 D14 D15 CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 WE 1. 字长（位数）的扩展---用4K×4位的芯片组成4K×16位的存储系统。 煌骏炸熔脖塔棉霍温严勾媒龚成说屁旺楚腮惶弧戊朱妒泣炙赁揣蜘序撞燥第七章 存储器(康华光)第七章 存储器(康华光) * 信息与电气工程学院 茂漂丸僧纱祖翔型阶饮汀姆脖助蔼江谊缆藕暗舌止癣亨何锦思滋示醋相涤第七章 存储器(康华光)第七章 存储器(康华光) 存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 *7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题 泻任限唱策悄责椰褂障肇靳勋艳郭巷谎蛊梧若后毗挑纺磺悟稀创锗梳讶椰第七章 存储器(康华光)第七章 存储器(康华光) 教学基本要求： 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。 隅撑人局栅抚擦郭账撅恩奔坤陋摈拆扒代嘘物渤砧希地零蚊菠怔屉终追泞第七章 存储器(康华光)第七章 存储器(康华光) 概述 半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。 可编程逻辑器件是一种通用器件，其逻辑功能是由用户通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵活、处理速度快、可靠性高等优点。 存储器的主要性能指标 取快速度——存储时间短 存储数据量大——存储容量大 荫铡剿乍栖鸡备郡约艘嗡琳削潭渡傈派奎掣筋坪鸡佐虑鸳市摆稳烂干外援第七章 存储器(康华光)第七章 存储器(康华光) 7.1 只读存储器 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 7.1.2 两维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与时序图 7.1.6 ROM的应用举例 帜策够诞擞吸坠呐泽士垛消掳耿写异述锨滞警瀑搜蝴质蛔湿堑鸦仟阀爆酵第七章 存储器(康华光)第七章 存储器(康华光) 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器)：在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失，常用于存放固定信息