第1章、绪论.pptVIP

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第1章、绪论

2012-02 郑州大学信息工程学院 课程内容及安排(共32学时) 参考书目及期刊 《超大规模集成电路与系统导论》,电子工业出版社,John P.Uyemura(美) 《集成电路设计》,电子工业出版社,王志功 《现代VLSI电路设计》,科学出版社,Wayne Wolf 《Verilog数字系统设计教程》,北京航空航天大学出版社,夏宇闻 《VHDL硬件描述语言与数字逻辑电路设计》,西安电子科技大学出版社,侯伯亨,顾新 《PSpice与电子器件模型》,北京邮电大学出版社,赵雅兴 电子学报、电路与系统学报、半导体学报、中国集成电路、微电子技术 Chinese Journal of Electronics,Chinese Journal of Semiconductors IEEE Journal of Solid-State Circuit IEE,Electronics Letters IEEE, Tran.on VLSI Systems IEEE, Tran.on Circuits and Systems 课程特点 集成电路设计的基本知识 基本电路的分析、基本电路的结构及寄生效应、集成电路制造工艺、版图设计、SPICE模拟及器件模型、测试及封装技术 新技术的发展 当前主流制造工艺 SoC及IP核的设计与复用技术 第一章 绪论 一、集成电路 (IC- Intergrated Circuit) 把组成电路的两个以上元件(至少有一个有源元件) 、器件以及相互间的连线制作在单个芯片上,把这个芯片放到管壳中进行封装,电路与外部的连接通过引脚完成,形成的具有一定功能的整体电路。 相对分立器件组成的电路而言 Intel公司CPU— Pentium?4 电子产品 二、集成电路的发展 晶体管的发明 1947年,美国贝尔实验室的科学家威廉姆·肖克莱(Wliiiam Shockley)、沃特·布拉顿(Walter Brattain)和约翰·巴丁(John Bardeen)发明点接触型晶体管 1950年,肖克莱与斯帕克斯(M. Sparks)和皮尔逊(G.L.Pearson)制成具有放大功能的结型晶体管 集成电路的发展(续) 最早的集成电路 1958年,美国德克萨斯州仪器公司的基尔比(J . B. Kilby)把三级管等有源元件和电阻、电容等元件集中在一块 0. 5 cm2的锗片上 ,具有一个完整的 “相移振荡器” 电子电路的功能; 1959年,美国仙童(Fairchild)仪器公司的诺伊斯(R. N. Noyce) 利用被蚀刻成规则图案的氧化硅薄膜、 铝薄膜作为绝缘材料和导线 ,首次把所有的电子器件全部制作在一块单晶硅片上,这一集成电路的制备工艺路线沿用至今。 集成电路的发展(续) 1959年,提出PN结隔离技术和平面工艺技术 1960年,John Atalla和Dawon Kahng发明MOS场效应晶体管 1961年,美国仙童(Fairchild)公司用平面工艺制造出第一块双极型集成电路,是一种只包含几十个元件的小规模集成电路(SSI-small scale integration) 1962年,美国RCA公司研制MOS场效应管,并于1963年,研制出第一块MOS集成电路 集成电路的规模 20世纪60年代末,包 含 近 千 个 晶 体 管 的 中 规 模 集 成 电 路(MSI-medium scale integration) 20 世纪 70 年代 ,集成电路的集成度快速提高 ,制成了包含几万个晶体管的大规模集成电路(LSI-large scale integration) 20 世纪 80 年代 ,在 1982 年英特尔公司推出的 16 位 80286 微处理器芯片内集成了 13. 4 万个晶体管,制成超大规模集成电路(VLSI-very large scale integration) 20 世纪 90 年代,巨大规模集成电路(ULSI-ultra large scale integration)很快就将元件的集成度扩充到百万级. 21世纪,特大规模集成电路(GSI-giant scale integration)的集成度已超过了千万级 系统级芯片(SoC-System on Chip) 关键词 特征尺寸按比例缩小 MOS晶体管 集成电路的特点 微型化 高集成度 低成本 高可靠性 低功耗 高速 损坏后不可维修 三、集成电路的分类 四、集成电路产业现状 集成电路的实现包括:芯片设计、制造、封装、测试四个环节 产业现状:四业分离 IDM Foundry Fabless 封装 测试 MPW(multi-project wafer) 五、集成电路设计与EDA技术 集成电路设计是指根据电路功能和性能的要求,在正确选择系统配

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