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第六章 存储器 本章内容简介: 1. 半导体存储器的工作原理; 2. 存储器(体)与CPU的连接; 本章讲纲 6.1 存储器概述 一、存储器基本概念 二、半导体存储器概述 6.2 半导体存储器工作原理 一、RAM的工作原理 二、ROM的工作原理 6.3 存储器(体)与CPU的连接 一、RAM和ROM的操作 二、存储器与CPU的连接 三、存储器与CPU的连接问题的小结 第一节 存储器概述 一、存储器的基本概念 二、半导体存储器概述 1、半导体存储器的分类 2、半导体存储器的工作特点 第一节 基本概念 一、存储器的基本概念 存储器是信息存放的载体,是计算机的重要组成部分; 存储器系统的三个基本参数: 容量:以字节或位表示; 速度:访问时间TA,访问周期TM,带宽BM; TA—接收读申请到读出信息到存储器输出端的时间 TM—连续两次启动存储器所需的最小时间间隔TM TA 带宽: w为数据总线宽度 成本:单位存储容量的价格; 第一节 基本概念 一、存储器的基本概念 微机的存储系统构成 按存储介质:电、磁、光存储器 第一节 基本概念 一、存储器的基本概念 微机的层次结构 第一节 基本概念 二、半导体存储器概述 1、半导体存储器的分类 第一节 基本概念 二、半导体存储器概述 2、半导体存储器的工作特点 (1)RAM的工作特点 总体上:存取速度高,掉电后信息丢失; 对于SRAM:电路元件多,集成度低; 对于DRAM:单元电路简单,集成度高,功耗低但需刷新; (2)ROM的工作特点 总体上:存取速度较RAM低,掉电后信息不丢失,一般需专用的烧录器; 第一节 基本概念 二、半导体存储器概述 2、半导体存储器的工作特点 (2)ROM的工作特点(续) ROM:保存时间长,大批量成本低,修改难; OTP ROM:编程容易,修改难; EPROM:可擦除,但不方便; E2ROM:在线可编程,修改容易,可按字节修改; FlashROM:在线可编程,修改容易,容量大,但只能按块修改; 第二节 半导体存储器的工作原理 一、RAM的工作原理 1、基本存储电路 2、RAM芯片结构 二、ROM的工作原理 1、基本存储电路 2、ROM芯片结构 第二节 半导体存储器的工作原理 一、RAM的工作原理 1、基本存储电路 (1) 六管静态存储电路 基本存储电路: T1、T3及T2、T4构成两个反相器,交叉耦合形成一个触发器,T1、T2为控制管,T3、T4为负载管; 将该电路配合相应的选通及放大电路,就可构成存储器; 第二节 半导体存储器的工作原理 一、RAM的工作原理 1、基本存储电路 (1) 六管静态存储电路 写入:X、Y线有效,使T5、T6导通,选中图中单元,输入的数字信号经Bi后输出两个互补信号,加至A、B端,将信号保存下来; 读出:X、Y有效,A、B信号加至读出放大器Bo输入,经放大后输出到D端; 第二节 半导体存储器的工作原理 一、RAM的工作原理 1、基本存储电路 (2)单管存储电路 写入:字选线有效,T1导通,通过数据线对C充电; 读出:字选线有效,T1导通,存储在C上的电荷输出到Cd上,由读出放大器读出信息; 特点:读出为破坏性读,所以读出后,应对原保存信息恢复; 由于C漏电,信息不能长期保存,需定时对信息进行刷新; 第二节 半导体存储器的工作原理一、RAM的工作原理 2、RAM结构 将若干个基本存储单元 组合在一起,配合相应的 读写电路,就构成了RAM; 控制电路包括: 译码器:形成行/列选信号; IO电路:形成互补信号或读出放大 控制电路:形成各部件的选通; 输出驱动:对读出信号进行缓冲 第一节 基本概念 一、存储器的基本概念 微机的存储系统构成 按存储介质:电、磁、光存储器 第二节 半导体存储器的工作原理一、RAM的工作原理 2、RAM结构 地址译码方式 单译码:所有输入地址经过一个译码器后形成相应的字选线,选中一个字的所有位,对该字整体读出; 双译码:为了减小译码器规模及译码器输出引线条数,存储体采用MxN结构,通过行列地址译码器输出,可以选中存储体的一位对其进行操作; 第二节 半导体存储器的工作原理一、RAM的工作原理 2、RAM结构 地址译码方式 第二节 半导体存储器的工作原理 二、ROM的工作原理 1、基本存储电路 如右图,图中Q0为负载管,Q1为控制管,当行线L有效时,如果Q1导通,则列线C电平为0,反之,则C电平为1; 对于不同类型的ROM存储器,主要区别在于对Q1的处理上: 掩模ROM:通过设置或去除Q1来达到保存信息的目的; 可编程ROM:改造Q1,使之导通情况可
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