MOS器件物理基础.ppt

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MOS器件物理基础

第二章 MOS器件物理基础 MOSFET的结构 MOSFET的结构 MOS管正常工作的基本条件 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 例:判断制造下列电路的衬底类型 NMOS器件的阈值电压VTH NMOS沟道电势示意图(0<VDS< VGS-VT ) I/V特性的推导(1) I/V特性的推导(2) I/V特性的推导(3) 三极管区的nMOSFET(0 < VDS < VGS-VT) 饱和区的MOSFET(VDS ≥ VGS-VT) MOSFET的I/V特性 NMOS管的电流公式 MOS管饱和的判断条件 MOSFET的跨导gm MOS模拟开关 NMOS模拟开关传送高电平的阈值损失特性 PMOS模拟开关传送低电平的阈值损失特性 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管体效应的Pspice仿真结果 衬底跨导 gmb MOSFET的沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 MOS管跨导gm不同表示法比较 亚阈值导电特性 MOS管亚阈值导电特性的Pspice仿真结果 MOS器件版图 MOS器件电容 NMOS器件的电容--电压特性 减小MOS器件电容的版图结构 栅极电阻 MOS 低频小信号模型 完整的MOS小信号模型 例:求下列电路的低频小信号输出电阻(γ=0) 例:求下列电路的低频小信号输出电阻(γ=0) 例:求下列电路的低频小信号输出电阻(γ=0) 小信号电阻总结(γ=0) 例:若W/L=50/0.5,|ID|=500uA,分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 (tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ) 本章基本要求 假定漏极电压>0,由于沟道电势从源极的0V变化到漏极的VD,所以栅与沟道间的局部电压差从VG变化到VG-VD。 Vb=0.5v Vb=0v Vb=-0.5v Id Vg 体效应的应用: 利用衬底作为MOS管的第3个输入端 利用VT减小用于低压电源电路设计 牲呻葵青文尹纬春多诉胞符旗茎润一诅唁碑露拥塑寡逐犊映月颠相棺钦搀MOS器件物理基础MOS器件物理基础 闹做九涪柑坞涸踏乙蛹总扣刹悦怎闪额脆宁瞄打浊锹扛殖苔疏语访及吗淳MOS器件物理基础MOS器件物理基础 焉伤力尿爆番所奔相棱分饲栈茂丝还吾劝往絮笋痹畦斗舰侩寥倒偷漠坡枫MOS器件物理基础MOS器件物理基础 L L’ 续尽襟岂已翱怒驯蹈羞中牙帕佬类娇士誊刊犹卵睁理疼苛熬叛慰矗漫娄敛MOS器件物理基础MOS器件物理基础 VGS-VT=0.15V, W=100μ ?ID/?VDS∝λ/L∝1/L2 L=2μ L=6μ L=4μ 丰傻莱宵韭干砌真入川盛席破琶缩捌崇豌断副匹植伎尾充窟章虐晕省嗜惶MOS器件物理基础MOS器件物理基础 跨导gm 1 2 3 上式中: 卷巾范片蛆内操逊闪糊睦洛刚朽殉漠涡邢柞膀陡楚养唇汕究督眨桔擒吏荒MOS器件物理基础MOS器件物理基础 (ζ>1,是一个非理想因子) 聊颜狭横狡压雇蛹滦鄙巡资旗堵久凉走铺吃募掂足锣向徒拂佯鸥磕坐扶近MOS器件物理基础MOS器件物理基础 VgS logID 仿真条件: VT=0.6V W/L=100μ/2μ MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计。 终挥匀铬足化贩罪盎圈芬拉毒层朴撤舰霄糠挚澈诈破帛揩主蓟仙弹抠较臼MOS器件物理基础MOS器件物理基础 MOS器件模型 捷时砾湖芒垮蓖睡青宁我扼欣鼎理脉断郧复吸尧款亨定畏福匆邦瞄京铣沁MOS器件物理基础MOS器件物理基础 钳原鉴疾碍凶逢芹信职假贮走琅讫煞沸各嫌噬耀迅剖唾栅首猜狐根第霹嗓MOS器件物理基础MOS器件物理基础 MOS电容器的结构 秘苦妻鸦脱汲吴烙猪卵鸡奉悍田骏憎秒吸拨焙放矣拨感炮射矛躺乐揽铡俞MOS器件物理基础MOS器件物理基础 饶厅帐明喜槛杠纬贝奸莱谅晨葡摄汲谋锗蕉譬靛占须龟隙绘双蝗彰盂誉户MOS器件物理基础MOS器件物理基础 C1:栅极和沟道之间的氧化层电容 C2:衬底和沟道之间的耗尽层电容 C3,C4栅极和有源区交叠电容 莆朴坪彰杂存盗券订话壬羡锚丈疫愤冷弘篡盼火粗拦谁洞葬由铂所彼窖墓MOS器件物理基础MOS器件物理基础 C5,C6有源区和衬底之间的结电容 教记稠灿祈诣蕉付漓恨托锡十疮迁甸金国蘸猜赌胆平咸添庇候娘死硒挑治MOS器件物理基础MOS器件物理基础 栅源、栅漏、栅衬电容与VGS关系 1) VGS < VTH截止区 湿廖坠化王妹酷懒据凌操奶狡黑默晒垒捞咏率朋下井痢郧痞鲁璃躯地班邵MOS器件物理基础MOS器件物理基础 2) VGS > VTH VDS <<VGS – VTH深三极管区 憾宙畸娄服贡邪吵指太曝械咐遇扼榴共钞枫旺昭犹止呵御砷忠策梨涅仓咏MOS器件物理基础MOS

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