第一章常用半导体器件.pptVIP

§1.4 场效应管 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 1.4.1 结型场效应管: 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理（以P沟道为例） UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压UGS(off)）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID P G S D UDS UGS UGSUGS(off)且UDS0、UGD UGS(off)时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端，PN结反压越大 ID P G S D UDS UGS UGS UGS(off)且UDS较大时UGD UGS(off)时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID G S D UDS UGS UGS UGS(off) UGD= UGS(off)时 N N 漏端的沟道被夹断，称为预夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID 1.2.2 二极管的伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 电流方程： 1.2.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.最高反向工作电压UR 二极管工作时允许外加的最大反向电压值。超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是击穿电压U（BR）的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4. 最高工作频率 fM 二极管工作的上限频率。超过此值时，由于结间电容的作用，二极管将不能很好地体现单向导电性。 1.2.4 二极管的等效电路 一、由伏安特性折线化得到的等效电路 i u i u 0 0 i u 0 UON UON UON UON rD R I V + UD － (a) (b) (c) 用(a)的模型，I=V/R 用(b)的模型，对于硅管，可取UD=Uon=0.7V ；对于锗管，可取UD=Uon=0.2V。于是I=(V-Uon)/R 用(c)的模型，I=(V-Uon)/(rD+R) 一般情况下多采用(b)来等效。 iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 二、二极管的微变等效电路 1.2.5 稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）额定功耗 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 稳压二极管的应用举例 解：IR=IDZ+IL，IDZ=(5~25)mA，IL=UZ/RL=10mA。 UR=UI-UZ=10-6=4V 求：限流电阻R的取值范围 稳压管的技术参数: 负载电阻 。 uo iDZ DZ R iL iR UI＝10V RL ＋ － 1.2.6 其他类型二极管 一、发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 发光二极管驱动电压低、功耗小、寿命长、可靠性高，可代替一般的小灯泡。 符号 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 二、光电二极管 注意第四象限呈光电池特性。此时光电二极管的电压和电流的实际方向相反，根普通电池发出功率时的情况一样。而且入射照度越大，发出的电压和电流越大。 §1.3 双极型晶体管 1.3.1 晶体管的结构及类型