第1章电路和电路元件(叶挺秀).ppt

部分二极管的照片 整流二极管 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 1.5 双极晶体管 1.5.1 基本结构和电流放大作用 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.5.3 简化的小信号模型 双极晶体管简称晶体管、三极管。 1. 基本结构和符号 NPN型 P N N C E B 集电结 发射结 发射区 基区 集电区 B E C PNP型 B E C P N C E B 集电结 发射结 发射区 基区 集电区 P 1. 基本结构和符号 ●两个PN结：发射结、集电结 ●三个电极：发射极E、基极B、集电极C ●三个区：发射区—杂质浓度高（多数载流子最多） 集电区—杂质浓度高,比发射区稍低 基 区—杂质浓度相对很低 2. 电流放大作用 条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 ☆载流子的运动和电流的形成： 发射结外电场→发射区大量电子载流子向基区运动，电源向发射区补充电子→发射极电流 IE。 进入基区的电子载流子少量与基区空穴复合，电源UBB向基区补充空穴→基极电流 IB。 集电结外电场→基区的大部分电子载流子进入集电区，并由电源收集→集电极电流 IC。 N N P E B C IC + UBB - + UCC - IB IE RB RC ☆电流放大作用： 小的基极电流变化量→大的集电极电流变化量，具有电流放大作用，电流控制作用——电流控制型器件。 IE=IB+IC IB+IC≈IE 改变UBE→IB变化→ΔIB，ΔIB→ΔIC、ΔIE ΔIB+ΔIC≈ΔIE 1.5.2 特性曲线和主要参数 1. 共发射极输入、输出特性曲线 ☆输入特性曲线： 与二极管正向特性曲线类似。 ☆输出特性曲线： iB=f (uBE)|UCE=常数 iC=f (uCE)|iB=常数 B E C － + uBE － + uCE iC iB 80 40 0.4 0.8 UCE1V uBE/V O iB/μA 2 uCE/V O iC/mA 4 6 8 2 4 6 8 100μA IB=0 饱和区 截止区 放大区 80μA 60μA 40μA 20μA 截止区：IB=0 曲线一下区域 特点：集电结、发射结均反向偏置，无放大作用，IC=ICEO≈0 ，集电极与发射极相当于断开的开关——用于开关电路。 饱和区：UCEUBE的区域 特点：发射结、集电结均正向偏置，无放大作用, 有IC，但UCE=UCES≈0（约0.3V），集电极与发射极相当于接通的开关——用于开关电路。 2 uCE/V O iC/mA 4 6 8 2 4 6 8 100μA IB=0 饱和区 截止区 放大区 80μA 60μA 40μA 20μA 放大区： IC=βIB 特点：发射结正向偏置，集电结反向偏置，有放大作用——用于放大电路。 2. 主要参数 电流放大系数 穿透电流ICEO 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许耗散功率PCM 集电极—发射极反向击穿电压U(BR)CEO 1.5.3 简化的小信号模型 1. 受控源概念 受控源——非独立电源 输出电压或电流受电路中另一电压或电流的控制。 电压控制电压源（VCVS） 电压控制电流源（VCCS） 电流控制电压源（CCVS） 电流控制电流源（CCCS） 四种类型： 四种受控源符号： VCVS VCCS CCVS CCCS 2．晶体管的简化小信号模型 晶体管工作在放大区，即: B-E之间，工作在输入特性 的近似线性区，用电阻rbe模拟。 用电流控制电流源模型 。 rb=200Ω IE单位mA。 C-E之间，IC=βIB。 IC与UCE基本无关。 部分晶体管的照片 1.6 绝缘栅场效应晶体管 1.6.1 基本结构和工作原理 1.6.2 特性曲线和主要参数 1.6.3 简化的小信号模型 1.6.1 基本结构和工作原理 类型： N沟道绝缘栅场效应管（NMOS） P沟道绝缘栅场效应管（PMOS） 增强型绝缘栅场效应管 耗尽型绝缘栅场效应管 1. 基本结构 ◆耗尽型NMOS管结构 G — 栅极 S — 源极 D — 漏极 耗尽型NMOS 在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子，不加UGS 在两个N +区之间存在N型导电沟道。 ◆ 增强型NMOS管结构 在二氧化硅绝缘层中掺入少量正离子，尚未形成导电沟道, 只有加入足够大的UGS时才形成导电沟道。 P沟道MOS管的符号 增强型NMOS G D S B 增强型PMOS 耗尽型PMOS G D S