不同位置之电子阻挡层对1310-nm磷砷化镓铟雷射二极体之影响.docVIP

不同位置之電子阻擋層對1310-nm磷砷化鎵銦雷射二極體之影響 文/王泰鈞、黃滿芳  本文是以模擬軟體利用理論分析之方式來探討不同位置之電子阻擋層（electron stopper layer, ESL）對發光波長為1310-nm之磷砷化鎵銦（InGaAsP）雷射二極體之影響。主要是將電子阻擋層放在兩個不同位置做比較，其中一個位置位於p型披覆層（p-cladding layer）與光侷限層（separated confinement heterostructure layer; SCH layer）之界面；另一位置為量子井（quantum well）與靠近p型披覆層的光侷限層之界面。由計算結果得知，電子阻擋層無論位在哪一個位置皆可以有效的改善雷射二極體的特性。當電子阻障層位於量子井與靠近p型披覆層的光侷限層之界面時，易使載子侷限於光侷限層，而造成縱向與橫向之電子溢流過大，使得量子轉換效率（slope efficiency）降低。最後，當電子阻擋層位於披覆層與p型光侷限層之界面為最佳位置。 一、前言 近年隨著光纖通訊的蓬勃發展而使得發光波長850-nm、1310-nm及1550-nm之半導體雷射有被重視的機會[1]。發光波長 1310-nm的雷射光在SiO2光纖中有最低之單模色散（dispersion）1]。發光波長為1310 nm之Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中，又以InGaAsP/InP材料系統最被廣泛應用於長程光纖通訊之光源。但此材料系統有較小的 conduction band offset (ΔEc=0.4ΔEg)〔2〕，所以對溫度的敏感性極高，當在高溫下操作時，雷射二極體之特性急遽下降，也因此近十年來有大量的文獻針對此一缺點提出許多改進的方式。近幾年也有其他具有較高conduction band offset 的材料系統被提出，如：AlGaInAs/InP〔3-6〕InGaAsN/GaAs〔7-10〕InGaAsP/InP為主流。 影響長波長雷射二極體特性主要因素分成兩大部分，一部分為載子損失（carrier loss），另一部份為光子損失（photon loss）[11]。在載子損失中，包含Shockley-Read-Hall recombination、Spontaneous emission、Auger recombinationInGaAsP/InP具有較小的能隙（energy gap）及較低的 conduction band offset ，所以Auger recombination及載子溢流的現象成為支配此雷射特性好壞的兩大主因。而光子損失的部分主要包含了free carrier absorption及Inter Valance Band Absorption（IVBA）[12-16]。 strain）來改變能帶結構[17-18]，使重電洞等效質量（effective mass）下降，導致能量狀態密度（density of state）（threshold carrier densityAuger recombination 及IVBA得以獲得改善。 而改善載子溢流的方式除了選用conduction band offset較大的材料系統外，亦可以在p型披覆層做大量的摻雜，藉此提高光侷限層與p型披覆層之界面能障高度差[19]。但在界面處過大的摻雜，亦可能提高 free carrier absorption 。另外一個方法就是加入載子之阻擋層，可加入電子或電洞之阻擋層來抑制載子離開活性區，使載子可以有效侷限於活性區中。過去曾有文獻提出在InGaAsP/InP材料系統中，改變不同的能障材料來改變井內對載子不同的侷限能力，並且在光侷限層與p型披覆層之界面加入一層InAlAs電子阻擋層[20]。亦有文獻將電子阻擋層成分改成InGaP[21]。在2004年也有文獻提出將此電子阻擋層成長於靠近p型披覆層的光侷限層中，同樣可以提升雷射二極體的特性[22]。本文將針對此一重點來加以討論，探討當電子阻擋層分別位於不同位置時，其對雷射二極體產生了何種影響，並且找出最佳的阻擋層位置。 二、元件結構 本元件採用脊狀波導（ridge waveguide）的結構，脊狀寬度為3.5 μm，脊狀高度為1.2 μm，腔長為900 μm，前後鏡面反射率皆為0.32。活性區由五個量子井（quantum well）所組成，成分為In0.73Ga0.27As0.67P0.33，具由0.3%的壓縮應力（compressive strain），井寬為4 nm。 能障（barrier）成分為In0.89Ga0.11As0.24P0.76，寬度為10 nm。光侷限層成分與能障相同，寬度為100 nm。其詳細成分、寬度及摻雜濃度如圖一所示〔22〕。 本文將針對