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9.3离子键理论 * * 9.3.1离子键理论 9.3.2典型的AB型离子晶体 9.3.3离子极化 9.3.4晶格能 返回章 9.3离子键理论 下节 上节 * * . 1.离子键: - + + + - - . 9.3.1离子键理论 (1)形成: 休息 * * (2)本质: 　　静电引力. (3)特征: ①无方向性: ②无饱和性: 离子电场球形对称; 离子电场力无方向性. - + 9.3.1离子键理论 2.离子的特征: (1)电子构型(ionic electron configuration): 　　所有简单阴离子:8 电子构型,如F-、Cl-、S2- 等 . 休息 * * 阳离子电子构型较复杂. (2)离子半径(ionic radius): d = r++ r- + - 9.3.1离子键理论 变化规律(pm) : ①同元素离子: Z↑, r± ↓ ②同周期不同元素离子: ③同族元素Z相同的离子: Z↑, r±↓ 周期数↑, r±↑ 7 休息 目录 * * 阳离子电子构型: 2 8 9~17 18 18+2 1s2 ns2np6 ns2np6nd1~9 ns2np6nd10 (n-1)s2(n-1)p6(n-1)d10ns2 Li+,Be2+ Na+,Mg2+,Al3+,Sc3+ Cr3+,Mn2+,Fe2+,3+,Cu2+ Cu+,Zn2+,Cd2+,Hg2+ Sn2+,Pb2+,Sb3+,Bi3+ 电子 构型 外电子层电子排布式 　 实例 . 9.3.1离子键理论 * * 　　晶体内(或分子内)某一个粒子周围最接近的粒子数目. 1.特征: 规则: 阴阳离子相互接触稳定,配位数大稳定. 配位数: 9.3.2典型的AB型离子晶体 + + + + 5 休息 * * ①NaCl型: 配位比: 6:6 2.结构类型与离子堆积规则: 晶格:面心立方 NaBr、KI、LiF、MgO等. 9.3.2典型的AB型离子晶体 晶格:简单立方 ②CsCl型: 配位比: 8:8 CsBr、CsI、TlCl等. 晶格: 面心立方 ③ZnS型(立方型): 配位比: 4:4 例:BeO、ZnO、HgS等. 休息 * * 配位数为6:6的晶体: ④离子堆积规则: 可解得: 9.3.2典型的AB型离子晶体 + + + + a b c 半径比定则: 配位数和离子半径比值的对应关系. 休息 * * 离子半径比与配位数的关系: 9.3.2典型的AB型离子晶体 休息 目录 * * 9.3.3离子的极化 1.离子的极化: 未极化的简单离子 离子在外电场中: 离子在外电场作用下产生诱导偶极的过程. 休息 * * 9.3.3离子的极化 　　离子极化的强弱主要取决于离子的极化力以及离子的变形性. 2.离子的极化力: 离子的极化力: 某离子使异电荷离子产生变形的能力. 主要影响因素: ①Z; ②r; ③离子的电子构型. 休息 * * 9.3.3离子的极化 一般来说: Z↑,r+↓,极化力↑. Z相同, r+ 相近,与电子构型有关: 18,(18+2)以及2电子构型具强极化力. 如Cu+,Pb2+,Li+等. 8电子构型离子极化力最弱. 如Na+, Ca2+等. 其它电子构型极化力中等 . 休息 * * 离子在外电场作用下,外层电子与核发生相对位移的性质. 也用极化率衡量. 主要取决于离子半径的大小. ①r相近,但电荷不同时: 负离子: Z-大,?大; 正离子: Z+大,?小. ②r相近,Z相同时,与电子构型有关. 3.离子变形性: 9.3.3离子的极化 : 4.一般规律 休息 * * ①r- 相同时,Z+越大,阴离子越易被极化;. 9.3.3离子的极化 ②Z+相同时,r+越大,阴离子越不易被极化; ③Z+相同,大小相近时, r-↑越易被极化; ④附加极化作用: 离子晶体中,每个离子总极化力是离子固有极化力与附加极化力之和. 5.对物质结构和性质影响: 休息 * * ①键型以及晶型: ②性质: 键的极性 极化作用 增强 减小 9.3.3离子的极化 如对卤化银物理性质的影响. 休息 * * AgF AgCl AgBr AgI