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近代物理实验晶体的电光效应 电科091 郭鑫实验目的 (1)掌握晶体电光调制的原理和实验方法 (2)学会测量晶体半波电压、电光常数的实 验方法 (3)了解一种激光通信的方法 实验原理一·一次电光效应和晶体的折射率椭球 　　由电场所引起的晶体折射率的变化，称为电光效应。 　　通常可将电场引起的折射率的变化用下式表示： n=n0+aE0+bE02+…… 式中a和b为常数，n0为不加电场是晶体的折射率。 一次项aE0引起的折射率变化的效应，称为一次电光效应，也称线性电光效应或普克尔效应；由二次项bE02引起折射率变化的效应，称为二次电光效应，也称平方电光效应或克尔效应。一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，一次效应要比二次效应显著。 如图，通常用折射率球来描述折射率于光的传播方向、振动方向的关系，在主轴坐标中，折射率椭球及其方程为: 式中n1，n2，n3为椭圆球三个主轴方向上的折射率，为主折射率。 当晶体加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球方程变成 晶体的第一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。本实验研究铌酸锂晶体的一次电光效应，用铌酸锂晶体的横向调制装置测量铌酸锂晶体的半波电压及电光系数，并用两种方法改变调制器的工作点，观察相应的输出特性的变化。 二、电光调制原理 我们把信息加载于激光辐射的过程称为激光调制，把完成这一过程的装置称为激光调制器。 因为激光实际上只起“携带”低频信号作用，所以称为载波，而起控制作用的低频信号时我们所需的，称为调制信号，被调制的载波称为已调波或调制光。 激光调制之所以常采用强度调制形式，主要是因为光接收器一般都是直接地响应其所接收的光强度变化的缘故。 激光调制的方法有很多，如机械调制，电光调制，声光调制，磁光调制和电源调制等，一帮采用电光调制，电光调制根据所施加的电场方向的不同，分为纵向电光调制和横向电光调制。有KDP晶体纵调制和铌酸锂晶体横调制两种经典的调制，本实验采用铌酸锂晶体横调制。 电光效应引起的相位差Γ正比于电场的强度E和作用距离L（即晶体沿光轴Z的厚度） 的乘积EL，E正比与电压V，反比于电极间距离d，因此 Γ~LV/d 铌酸锂晶体具有很高的的电光系数，γ=30.8×10-12m/v,常常用来做成横制器。为单轴负晶体。 nx=ny=n0=2.297,nz=ne=2.208 令电场强度为E=Ez,代入得电场感生的法线椭球方程式： 其中 应注意在这一情况下电场感生坐标系和主轴坐标系一致，仍然为单轴晶体，但寻常光和非常光的折射率都受到外电场的调制。设入射线偏振光沿xz的角平分线方向振动，两个本征态x和z分量的折射率差为： 当晶体的厚度为L，则射出晶体后光波的两个本征态的相位差为： 上式说明在横调制情况下，相位差由两部分构成：晶体的自然双折射部分（式中第一项）及电光双折射部分（式中第二项）。通常使自然双折射项等于π/2的整数倍。 横调制器件的半波电压为 我们用到关系式E=V/d。由上式可知半波电压Vπ与晶体长度比L/d成反比。因而可以通过加大器件的长度比V/d来减小Vπ 实验器材 电光调制电源组件 光接收放大器组件 He-Ne激光器组件 电光调制晶体组件 器偏起组件 检偏器组件 实验内容 （1）测定铌酸锂晶体的透过率曲线（即T~U曲线），计算半波电压Uπ。 晶体上只加直流电压，不加交流信号，把直流电压从小到大逐渐改变，输出的光强将会出现极小值和极大值，相邻极小值和极大值对应得直流电压之差既是半波电压Uπ 。加在晶体上的电压在电源面板上的数字表读出，每隔5V增大一次，再读出相应的光强值，数据填入表。 (2) 观察电光调制箱内置波形信号，以及 解调信号实验光路如图。 （3）用1/4波片改变工作点，观察输出特性。 （4）光通讯的演示。 两极值的差Uπ=0.55-0.29=0.26v 注意事项 （1）He-Ne激光管出光时，电极上所加的直流高压，要注意人身安全。 （2）晶体又细又长，容易折断，晶体电极上面的铝条不能压的太紧或给晶体施加压力，以免压断晶体。 （3）电源的旋钮顺时针方向为增益加大的方向，因此，电源开关打开前，所以旋钮应该逆时针方向旋转到头，关仪器钱，所有旋钮逆时针方向旋转到头后再关电