霍尔元件基本参量及磁场的测量.doc

霍尔元件基本参量及磁场的测量 【实验目的】 （1）了解霍尔元件的基本原理及产生的条件，测量室温下半导体材料的霍尔元件的基本参数。 （2）测绘霍尔元件的VH-IS、VH-IM曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流IS和励磁电流IM之间的关系。 （3）测电磁铁磁隙中磁场的横向分布。 【实验原理】 1. 霍尔效应 如图3.7.1所示，一块宽为，厚为的半导体薄片，若在其对称点1、2之间接上一个灵敏度电流计，沿x轴正向通电流，在不加磁场的情况下，电流计不会偏转，说明1、2两点 半导体薄片 图3.7.1 之间电位相等；但是如果在z方向加上磁场B，电流计立即就会偏转，说明1、2两点之间有电位差。这一现象是霍尔首先发现的，故称霍尔效应，两点间的电位差称为霍尔电压。 设沿半导体薄片x方向通一稳恒电流IS，z方向加一均匀磁场B后，半导体薄片中的载流子（空穴或电子）将受到洛仑兹力FB的作用，由于IS的方向和B垂直，故FB＝evB，这个力使电荷在元件的两边1-3或2-4面堆积并形成一横向电场EH，即霍尔电场。电场EH对载流子产生一个方向和洛仑兹力FB相反的静电力FB＝eEH，当载流子受到的横向电场力和磁场力达到平衡（FE＝FB）时，即有 （3.7.1） 式中 e(——(载流子电量； v(——(载流子速