85等离子系统-CHEMKIN.docVIP

8.5等离子系统 等离子反应器或密闭等离子反应器中离子处理过程的模拟要求：激励能量均匀沉积入等离子体，或者是或电子的扩散和热传导过程与电子化学动力扩散率相比要快的多。除此以外，我们假定化学反应速率系数不依赖与反应器的条件。在电子能量分配函数明显有悖于麦克斯维条件的情况下这个假设可能无效。但是用这个假设进行等离子系统模拟仍然能了解反应器中的各个化学反应。最后，类中性等离子的描述由等离子鞘层的近似值决定，其中鞘层的厚度远远小于反应器的尺寸规格。 在这部分中，我们用方程和等式描述了均匀等离子反应的模型。 8.5.1 等离子系统的电子能量方程 电子能量平衡的瞬态形式为电子团内能对时间的变化率ue等于进出反应器的电子焓净流量，主要包括化学产物率，表面损失，碰撞损失和电磁的外部能量堆积。这个平衡可以表示如下： 8－64 Electron Energy Equation 在这里ρe表示电子质量密度（等于电子数密度与电子质量乘积）。表示在气相中产生新电子的焓；当电子产生于冷态中和离子化时，我们就假设电子温度与中性物质接近。因此需考虑用于产生新电子的能量。我们假定在表面上电子损失支配电子发射，以至于公式里没有同等的项来说明新电子带着与表面温度相等的热能脱离表面。因此表面的电子焓损失通过每种材料的表面反应和电子焓的电子的净产生率计算。等式倒数后三项表示碰撞能量的损失。这些碰撞包括弹性碰撞、动量传输碰撞和非弹性碰撞。非弹性碰撞包括活化反应及其电子冲击碰撞的化学反应。在公式8－29中Q与Q是不同的，分别代表功率沉积到电子上的能量和功率沉积到整个等离子的能量。特别要指出，一些功率沉积可能用来加热等离子体中的离子，或加速离子穿越等离子鞘层。因此定义电子能量源项为： 8－65 电子内能和电子比热（electron specific heats）定义如下： 8－66 如果我们假定 =(5/2)RT/We，并且将8－65， 8－66代入8－64后减去8－2乘以CpeTe，我们可以得到： 8－67 等式右边的第二项代表产生新电子需要的热量。式8－67和式8－65中的能量项和损失项分别定义如下： 8－68 8－69 8－70 8－71 在式8－68中，是电子与第k个重粒子的动量传递碰撞频率。等离子反应器模型利用动量传递碰撞截面计算传递碰撞频率，具体通过关键词XSEK和XSDF表示。8－69第一项代表气相动力学文件中输入的所有电子碰撞反应的能量损失的总和。电子碰撞反应的总数为Iei，qr是第r反应过程的净速率，ΔHr是反应的净焓变化。ΔHr由CHEMKIN热动力学数据库的热化学种类决定，也可以由直接输入的气相动力反应辅助量EXCI决定（见3.4.2.9部分的CHEMKIN Input Manual）。式8－69右边的第二项代表其他损失项，用户可以从气相动力反应描述中单独选择。在式8－70中，是穿越鞘层时一个离子所得的能量，Ki是电离组分的总数目。可有多种选择：离子能量的直接规定，电子温度和一个指定用户的乘法因素的计算（鞘层损失因子在Materials-specific Data面板上），或是通过规定应用于材料的bias power。对于bias power的选择，离子能量是由功率除以到达材料的总电流得到。在式8－71中，尽管我们不能推导出精确的离子能量方程，但可以通过引入离子温度Tion来计算沉积到离子上的能量。等离子系统中离子的温度由用户直接决定或假定为一个常数。 8.5.2调整气体能量方程使之适用于等离子系统 对等离子系统而言，实际气体能量方程解出的结果是式8－29减去8－67得出的。这种方法只保留了气体能量方程中那些直接影响气体温度的项。由此得出的气体能量方程为： 8-29 8-67 8－72 8.5.3 Bohm条件在离子表面流量中的应用 通常在模拟低压等离子时，通过Bohm准则限制到达表面的离子流是合理的。这个条件维持到达表面的特殊离子的最大的净流等于离子密度与Bohm速度的乘积。等离子系统的模型常常是在低压情况下进行计算的。根据Bohm标准这对抑制离子流向表面是合理的。这种条件保持了指定离子流向表面的最大网格流等于离子密度和Bohm速度。Bohm速度可定义如下： 8－73 对于带负电的气体，这个表达式应该修改以便说明负离子的存在和它们对等离子鞘层的影响。在纯净的负电气体的限制下，流向表面的离子流应该受到离子热速度的限制。 为了适应于一个大的范围，我们使用Braithewaite和Allen对Bohm速度进行修正。 8－74 在公式里Cn,tot是所有负离子的离子的浓度和它的电荷数的乘积的总和。 等离子反应器模型支持用户用两种方法中的一种指定这个限制。第一种方法是使用等离子反应器的“Bohm 因素”设