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第一章半导体元件.ppt
1.3 半导体三极管 图 1 - 28 几种半导体三极管的外形 1.3.1 三极管的结构及类型 图 1 – 29 三极管的结构示意图和符号 将两个PN结“背靠背”的连接起来(用工艺的办法制成),则组成三极管。按PN结的组合方式,三极管有PNP和NPN两种类型, 其结构如下图所示。 三极管包含三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出三个电极:发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。同时,在三个区的两两交界处, 形成两个PN结, 分别称为发射结和集电结。 1.3.2 三极管的放大作用 1. 载流子的传输过程 发射 (2) 扩散和复合 (3) 收集 图 1 – 31 三极管中载流子的传输过程 2. 电流分配 图 1 - 32 三极管电流分配 参看动画(3) 集电极电流IC由两部分组成:ICn和ICBO, 前者是由发射区发射的电子被集电极收集后形成的, 后者是由集电区和基区的少数载流子漂移运动形成的,称为反向饱和电流。 于是有 IC=ICn+ICBO (1 - 6) 发射极电流IE也由两部分组成:IEn和IEp。IEn为发射区发射的电子所形成的电流, IEp是由基区向发射区扩散的空穴所形成的电流。因为发射区是重掺杂, 所以IEp忽略不计, 即IE≈IEn。IEn又分成两部分, 主要部分是ICn, 极少部分是IBn。IBn是电子在基区与空穴复合时所形成的电流, 基区空穴是由电源UBB提供的,故它是基极电流的一部分。 基极电流IB是IBn与ICBO之差: (1-7) (1-8) 发射区注入的电子绝大多数能够到达集电极, 形成集电极电流, 即要求ICnIBn。 通常用共基极直流电流放大系数衡量上述关系, 用α来表示, 其定义为 (1-9) 一般三极管的α值为0.97~0.99。将(1-9)式代入(1-6)式, 可得 (1-10) 通常ICICBO, 可将ICBO忽略, 由上式可得出 (1-11) 三极管的三个极的电流满足节点电流定律, 即 将此式代入(1 - 10)式得 (1-12) 经过整理后得 令 β称为共发射极直流电流放大系数。当ICICBO时, β又可写成 (1-13) (1-14) 则 其中ICEO称为穿透电流, 即 一般三极管的β约为几十~几百。β太小, 管子的放大能力就差, 而β过大则管子不够稳定。 * 第一章 半导体器件 第一章 半 导 体 器 件 1.1 半导体基础知识 1.2PN结 1.3 半导体三极管 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。 物质的导电特性取决于原子结构。导体一般为低价元素, 如铜、铁、铝等金属, 其最外层电子受原子核的束缚力很小, 因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。而半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚, 成为自由电子, 也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧, 因此, 半导体的导电特性介于二者之间。 1.1 半导体基础知识 纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。常用的半导体材料是硅和锗, 它们都是四价元素, 在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。 1.1.1 本征半导体 £?4 共 价 键 价 电 子 £?4 £?4 £?4 £?4 £?4 £?4 £?4 £?4 图 1 – 1 硅和锗简化原子 结构模型 图 1 – 2 本征半导体共价键晶体结构示意图 把硅或锗材料拉制成单晶体时, 相邻两个原子的一对最外层电子(价电子)成为共有电子,一方面围绕自身的原子核运动, 另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上。 两个相邻的原子共有一对价电子, 组成共价键结构如下图1-2所示 图 1 – 3 本征半导体中的自由电子和空穴 共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量, 其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子, 同时必然在共价键中留下空位, 称为空穴。空穴带正电, 如图 1-3所示。 由此可见, 半导体中存在着两种载流子:带负电的自由电子和带正电的空穴。本征半导体中, 自由电子与空穴是同时成对产生的, 因此, 它们的浓度是相等的。我们用n和p分别表示电子和空穴的浓度, 即ni=pi, 下标i表示为本征半导体。 价电子在热运动中获得能量产生了电子-空穴对。同时自由电子在运动过程中失去能量, 与空穴相遇, 使电子、 空穴对消失, 这种现象称为复合。在一定温度下, 载流子的产生过程和复合过程是相对平衡,其浓度是一定的。 在本征半导体中, 掺
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