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一个基于LTCC技术的毫米波圆极化天线阵列 吴克利，高欣 香港中文大学 Co-fired 摘要：本文探讨了采用低温共烧陶瓷(LTCC--LowTemperatureCeramic)技术的 毫米波天线阵列设计技术，给出了基于LTCC技术的圆极化天线阵的设计实例。所设计天线 阵采用了多层LTCC技术，中心频率在35GHz以上，采用层间过孔结构来实现不同层之间的 电路连接；通过多过孔的屏蔽墙来实现低损耗的带状线波导结构，简化了整体单元结构以易 GHz， 于天线的布阵。经过计算机仿真表明，该天线阵反射系数小于-lOdB的带宽达到了1．1 MHz。 轴比小于3dB的带宽达到了400 关键词：低温共烧陶瓷毫米波天线圆极化天线阵阵列天线 1 引言 ． LTCC技术的出现，使得微波器件的布局也由平面走向了三维空问，极大地方便了无源 微波器件的小型化和集成化。也正因为如此，LTCC技术在移动电话、蓝牙、射频前端等各 个方面有着极为广阔的应用前景。在毫米波段，由于波长的减小，对制造的精度要求越来越 高，对集成化的需求也越来越迫切，LTCC技术为这一频段的微波器件制造提供了一个很好 的解决方案。为此，本文研究了基于LTCC技术的小型化圆极化毫米波阵列天线技术。 针对于LTCC技术在天线上的应用，国内外做了大量的工作，提出了一些新颖的方案。 在天线单元结构上，有采用平面单极子Ⅲ的，有采用贴片心1的，也有采用挖孔结构∞1的。这 些天线基本都采用了线极化单元，其工作频率一般较低。 其次，为了改善天线的技术性能，在天线单元上提出了一些新的结构，文献[4]在单元 上采用了一个空气空腔的多层结构来增加带宽和增益，文献[5]则创造性地在方形贴片旁边 加了屏蔽墙从而形成一个类似腔体结构来提高天线增益等性能。而对于毫米波段的圆极化天 阵列，所见到的相关报道不多。这是因为这一频段对结构的精度等要求变高，其次由于带线 阻抗等的限制导致适合于布阵的圆极化天线实现起来比较特殊。在文献[6]中提出了一个采 用电桥来实现双馈的圆极化的天线阵，但是存在着结构过于复杂，占用面积过大等问题。文 献中采用Empire的FDTD算法来进行仿真，SII小于-lOdB的带宽接近1GHz，但文章没有 给出轴比带宽。 在此基础上，本文提出了一个工作在35GHz以上的LTCC圆极化天线阵。该天线单元 采用了双馈的结构，由7层LTCC板构成。采用了CST公司的MicrowaveStudio商业软件进 行了仿真，仿真结果得出s11小于-lOdB带宽大约为1．1GHz，轴比小于3dB的带宽达到了 MItz。 400姗z，轴比小于6dB的带宽达到了约650 2 LTCC技术中的一些限制及其解决办法 在使用LTCC技术设计上述天线的实现过程中，有如下几个技术难点： 2．1 带线的特征阻抗限制 在本文提出的天线阵中，馈电部分占用了4层LTCC介质。经过计算，发现4层LTCC 结构所能实现的带线的特征阻抗最高约为50欧姆，此时，带线的线宽达到可保证精度的最 小加工要求0．1咖。若单独的天线单元端口带线阻抗采取常用的50欧姆，那么功分器前端 的带线特征阻抗就需要达到100欧姆，这对于4层LTCC结构来说，采用一般的带状线是无 法实现的。为此，我们选用了25欧的端口阻抗。 此外，25欧姆的带线线宽约为0．4mm，由于带线旁边屏蔽墙的存在，使得天线在布阵的 389 时候占用面积过大。其次，过粗的带线宽度也将导致功分器三个端口的耦合较大，从而降低 双馈的轴比带宽。为了解决这些实际技术难点，我们将两个天线辐射单元当作一个总体来设 计，使用一个5／4波长的50欧姆带线来实现阻抗变换，如图1，从而使得结构中带线线宽 不至于太宽，既保证了双辐射单元总体的端口阻抗达到50欧姆。同时也能很方便地调整单 个天