一种CMOS多谐振荡器电路的设计.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 一种CMOS多谐振荡器电路的设计 聂丹 叶星宁 成都电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 摘要：多谐振荡器是产生方波信号的常用方法之一，多谐振荡器具有体积小、输出波形稳 定、功耗低等特点。本文在对多谐振荡器结构和原理系统分析的基础上，完成了一种新颖 的多谐振荡器设计。并详细描述了它的起振条件，给出了振荡周期的计算公式，还对电路 进行了仿真和性能分析。 引言 在集成电路中，常需要时钟信号源。振荡器不需外加触发信号，只要接通电源就能 产生一定频率和脉宽的矩形波或方波信号。CMOS集成电路由于功耗低、稳定性高、体积小 、成本低以及可以适应较宽范围的温度和电源电压等一系列优点，成为现在Ic设计的主 流技术，所以CMOS振荡器在许多模拟电路中有着广泛的应用。 结构和电路原理分析 从功能上讲，多谐振荡器比环型振荡器优越。环型振荡器的结构如图i所示，依靠奇数 个倒相器的闭环系统实现振荡输出。每个倒相器的等效输出电阻为R，输出电容为C，由n 个倒相器依靠延时获得的频率为f=i／nRC。可以看出，由于芯片面积的限制，倒相器的面积 和个数受到限制，故频率调节不灵活，误差较大，并且电路的最大缺点是无法实现宽范围占 空比的调节。而多谐振荡器工作方式类似施密特触发器(Schmitt—Trigger)，通过对储能元 件在两个阈值之间的充放电实现振荡，通过对充放电电流的大小可以实现宽周期的占空比 的调节。 酬MI帕la,a a 0牲它 图I普通环形振荡器 图2施密特触发器构成的振荡器 本文所设计的电路是通过控制给电容充电的PMOS电流源和给电容放电的NMOS电流源 的开通或关断来产生电压振荡的，图3为此电路的基本结构图。图中左半部分为两个P管， 它们给电容C提供充电电流。Vbias为偏置电平，调节此电平可以调节充电电流的大小，A 为使能信号，控制管子的导通和关断。在右半部分图中，迟滞比较器(即施密特触发器) 的输出接N管的栅极，从而控制电容的放电。具体来说，设迟滞比较器的两个阈值为v仆。 和V。nz，且V㈨V㈨。一开始电容处于充电状态，当电容电压升到V㈣时，比较器翻转， 输出高电平导通其输出端的N管，使电容放电，电容两端电压逐渐下降；当电容电压下降 ．．160．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 至V㈨时，迟滞比较器输出低电平，关闭Ⅳ管，让电容继续充电。这样，不断地充放电， 并通过迟滞比较器的控制，就形成了振荡波形。 且振荡频率可由下列公式算出： 器 Q=CUQ=IT T=UC／I f=1／丁=I／UC 具体电路分析及其各模块 1．迟滞比较器 滞迟性是此种比较器的特性，它使比较器的输入阈值随着输入(或输出)电平而变。 特别是在输入通过阈值点后，输出改变了，此时输入阈值随之降低。那么输入返回时必须 超过起始的阈值，此比较器输出才能再改变状态。 该比较器采用的是两级结构，第一级使用的是n沟道输入和单端输出差分放大器，第 二级用的是反相器。两级结合使用可使每个单独电路最有效的特性得以发挥。差分级增益 低，反相级给它作了放大，同时又解决了差分级输出范围小的问题。 输出电压的范围为： VOL兰0 VoH兰VDD—Vos7(因为M7处于深三极管区，VDS7非常小) Vin端的电压就是电容上的电压，当电容从0开始充电时，电压线性逐渐增大。此时 比较器的输出为接近地的低电平，N管M15处于关断状态，且二极管连接的P管M13上没有 电流流过，它的漏源电压差为零，此时输出等于vⅢ。而比较器的阈值为分压电阻R。，Rz所决