单壁碳纳米管的可控生长和谱学研究.pdfVIP

第28卷，第lo期 o 2 08年1O月 蛰描，品尝。器盘-震 “臻：娑’涮搿。542 单壁碳纳米管的可控生长和谱学研究 李彦，王叠泳，金钟，张岩，周截薇，刘宇，崔荣丽，孙昊 擅耍主要报道了Ra～光潜在单壁碳纳米管研究中的应月。研究T超长单壁碳纳米管平行阵列的可控 生长-井利用Ra蛐m光谱对纳米昔的手性进行了表赶．理论和宴验研究均表明．在张力作用存在下碳蚺米 彗鼬n姗光谱出现超强呼吸模吸收谱带。利用＆微R—n光谱跟踪研究了单壁碳纳米臂的定位化学磬怖过 《。 美■口单壁碳纳米管．拉曼光谱．呼吸模 定位修饰 中圈分类号：04孙 立簟标嘏码：A 立章翦号：1000·0593f2008lI*0541m2 单壁碳纳米管(swcNn)是未来纳电子器件的候选材料在过个体系中产生超强的RBM谱带的原田是因为其特殊的 之一，其可控生长和结楠及性质调控研究具有重要的意R。 结构使得部分单壁礞蚺米管处于高张力状态．这种沿轴向的 我仉首次发现铜为单壁碳纳米管表面生长的优＆催化剂．获 张』造成电声相互作用肤赶矩阵元的改变。从而＆著影响了 得了高质量的超长单壁聩纳米管阵列(围I)。我们还发展了 其R州蚺谱带的强度。 超低其流量T舶单璧碳纳米管超长阵列制备方珐．获得了大 规模的超长单壁碳纳米督阵列(圉2)。雎mm光谱表征证明 了单壁碳纳米管的结构，并利用艮m肌光谱分析了单壁麟 纳米管的手性。 黑熊鬻 一jJ～，|J b =一¨、 ～～ F嘻2 鲥nNhgw帅时皿妇’mI忤I删蛔曲％驴 m… 我们还利用AFM蘸笔刻蚀技术对生长于硅片表面的单 H§lS删(a，h)a删A删(c)iⅡ。黔“m鼬～甲巾1皿 壁碳纳米冒进行了定位修饰。图4(a，培出了修饰前和瞎饰后 (d)“m叫m％辄忡舭时Ⅲ吨0I∞otalFl 的原位显徽鼬一光谱，我们可以发现修饰月G谱带明i 减弱而D谱带显著增强。对这根碳纳米臂分别进行G诺带 当单壁碳纳水管生长于单分散氧化硅徽球表面时．我们 WD谱带的扫描．缮果如图4(b)和(c)所示，葡样可以明显 发现样品的R一光谱经常会出现超强的呼吸模(RBM)谱 地看到在修饰处G海带显著减弱而D措带明a增强。 带，如零3新示．经过大量舶实啦敷驽分析和理论计算发现， 20 《■日自2。。H610．●Ⅱ日■z008m8 t±Ⅲ目：目￡自##{i±m目(5077200)##＆髓★《AⅫⅢ目(20。6c曲32403)女∞ 镕i■n：{彦·1967#±·nin^}“{}∞敦＆～】-yalllj@pkudu∞ 光谱学与光谱分析 第28巷 R㈣m～m㈣nⅫ’ 想 晦3 6 毒4 j i 2 h㈣。 (b) 【c’ b蜘蛐d