单斜结构CrO2的设计及其能态密度的研究.pdfVIP

型—堕!竖型墨塑鱼!Q!塑塑盐墨基墼查童壅塑堑壅 婪! 单斜结构CrOz的设计及其能态密度的研究。 刘俊1’2，刘 宇1，陈希明1，董会宁1，涂锐1 (1．重庆邮电大学应用物理研究所，重庆400065；2．重庆大学数理学院，重庆400030) 摘要：设计了单斜结构的croz，利用基于密度泛新材料、新结构的有效途径之一。本文将以密度泛函 函理论的能量最低原理对CrQ进行了优化，并计算 理论为基本算法．设计单斜结构的cr02并进行优化 了优化后Cr02的能态密度。研究了掺Fe对CrO。结 处理，模拟其能带结构和态密度以探索改善半金属材 构和能态密度的影响。结果表明，单斜结构的crO： 料磁电性能的有效途径。 是半金属性较好的磁电阻材料；掺铁磁金属会降低 Cr02的丰金属性从而不利于改善它的磁电性能。 2算法 关键词：单斜结构；CrO。；掺杂；能态密度 根据密度泛函理论，体系的总能量可表示为 中图分类号：TGl39：TQl74．756文献标识码：A 文章编号：1001-9731(2006)增刊一0105—03 其中P是指电荷密度，E。(P)为体系总能量，TcP) l 引 言 为动能，u(P)是势能，E。。(P)包括多体耦台对总能量的 贡献。体系的波函数为 以研究电子荷电性为主的半导体电子学和以研究 口=A(n)Ip2(1)m(2)…乩(n)|(2) 电子自旋性为主的磁电子学均已取得了巨大的成就， 其中(A)n是展开系数，波函数o，已被归一化。 产生了显著的经济效益和社会效应[1”]。例如，静态 电荷密度的总和由下式给出 随机存储器、计算机读写磁头、磁性传感器、自旋晶体 (3) 管等磁电子学器件已开始了商业化进程[4,53。但是，长 p(r)一：l痧。(r)|2) _『 期以来半导体电子学和磁电子学几乎独立发展D-s]。 式(3)中的电荷密度包含自旋向上和自旋向下的 近年来，人们发现了能从材料内部有机集合两电子学 的具有新型能带结构的半金属材料““…。从物理上， 分别表示为： 增添一自由度意味着可以增添无数新颖的性能和应 T=(∑)矾I令旧(4) 用。因此，半金属材料已成为国际研究的新热点。 u l 对半金属材料的研究无论实验还是理论方面均处 (5) 于初步探索阶段，应用研究更未开始。从理论上，半金 属材料的自旋极化率可达到100蹦，远高于一般的铁 其中pV。表示原子核和电子之间的相互作用， 磁金属Fe、co、Ni及其合金的极化率(约10％～ pV。／2表示电子和电子之间的相互作用，V。。表示原子 50％)n“”]，可以预测半金属材料比普通铁磁金属具有 核和原子核之间的相互作用。耦合对总能量的贡献可 更为广阔的应用前景。在已发现的半金属材料如