单晶CdTe100Si100复合衬底材料的HWE生长.pdfVIP

化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ·309． 单晶CdTe(100)／si(100)复合衬底材料的 ．．HWE生长 姚朝晖1·2陈庭金2夏朝凤2袁海荣2刘祖明2廖华2 1中国农业大学水利与土木-r程学院北京100083 2云南师范大学太阳能研究所昆明650092 【摘要】 本文第一次报道了用热壁外延的方法在Si(100)衬底上异质外延得到了镜面状 XRD技术分析了薄膜的表面和断面形貌及结构特征，SEM显示薄膜表面平整， 断面显示薄膜在生长中期发生了变化，由多晶层向单晶层转变。AFM给出了 优取向，有Te的一个弱峰位而没有其他CdTe晶向峰位。EDS检测薄膜表面Te 和Cd的原子比率为51．53％和48．47％。X射线双晶摇摆曲线对称半峰宽值 温脱氧处理的Si(100)衬底上，当衬底温度和原子沉积速度有好的匹配，且系 单晶薄膜。 【关键词】 热壁外延择优取向CdTe单晶薄膜结构特征 of Hotwall Fabrication HighQuality Epitaxy YaoZhaohuil·2 Xia Yuan Liu LiaoHua2 Chenringjin2Chaofen92Hairon92Zumin92 1CollegeofHydraulic 100083，ClliⅡa 2 Normal Solar Research University，Kunming650092，China Energy Institute，Yunnan 0引言 分子数X及温度T调整而覆盖整个红外波段，是当今应用最广泛的红外探测器材料。目前国 试剂及运行成本使复合衬底材料成本大大提高。 ·310· 中国太阳能光伏进展 上最难外延高质量CdTe薄膜的硅基衬底材料【4】。David 面∥但XRD显示均为(111)取向；Georgi 单晶薄膜。 1实．验 1．1．衬底处理 ～ 实验选用(100)晶面的n型单晶硅圆片为衬底，电阻率为O-3Q·cm，直径为4cm。衬 底在外延前经严格清洗和其他处理，’置于红外灯下烘干或N2气吹千后备用。 ‘ ， 1．2，CdTe薄膜的制备 一 ● 外延室真空度为4x10一Pa。 1．3测试 kV， Unit原子力显微镜进行表面测试。采用日本 束流为70mA。用日本的SPA．400SPM 18