东微半导体-OrientalSemiconductor.pdf

  1. 1、本文档共12页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
东微半导体 为适应电源系统高效率小型化的需求,东微半导体推 出了新型的GreenMOS?系列高压MOSFET产品。 采用独特专利器件结构和制造工艺,GreenMOS? 产品具有比常规超级结(Super-Junction)MOSFET更 快的开关速度及更柔和的开关曲线,在获得极低的动 态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡。不仅可以大 大提高系统效率、降低发热量,同时大大简化了系统 EMI设计。GreenMOS?系列产品覆盖600-800V全 系列,最大提供高达76A静态电流的规格,最高工作 频率达到2MHz,可以满足各种电源系统的需求。由 于其高效率低温升的特点,特别适用于快速充电器、 大电流高效率适用充电桩 LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩及其他 高密度高频率电源系统。 GreenMOS? 6 00 系列 RDSO N(Ω) Ty p. ID DPA K(TO-252) IPA K(TO-251) TO-220 TO-220F TO-263 TO-247 Typ. Max. (A) 2.5 2.8 1.5 OSG60R2K8D OSG60R2K8A 2 2.2 2 OSG60R2K2D OSG60R2K2A 1.45 1.8 3 OSG60R1K8D OSG60R1K8A 1 1.2 4 OSG60R1K2D OSG60R1K2A OSG60R1K2P OSG60R1K2F OSG60R1K2K 0.7 0.9 5 OSG60R900D OSG60R900A OSG60R900P OSG60R900F OSG60R900K 0.5 0.58 8 OSG60R580D OSG60R580A OSG60R580P OSG60R580F OSG60R580K 0.33 0.38 11 OSG60R380D OSG60R380A OSG60R380P OSG60R380F OSG60R380K 0.23 0.26 15 OSG60R260D OSG60R260A OSG60R260P OSG60R260F OSG60R260K 0.15 0.18 20 OSG60R180P OSG60R180F OSG60R180K OSG60R180H 0.08 0.092 40 OSG60R092P* OSG60R092F* OSG60R092K* OSG60R092H* 0.06 0.069 56 OSG60R069H* 0.035 0.04 76 OSG60R040H* GreenMOS? 6 50 系列 RDSO N(Ω) Ty p. ID

文档评论(0)

***** + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:8010045112000002

1亿VIP精品文档

相关文档