第二章高频小信号放大电路解说.ppt

* * 第二章 高频小信号放大电路 第一节 概述 高频小信号放大电路分： 1、窄频带放大电路： 2、宽频带放大电路： 几kHz—几MHz；电压增益，选频；分两类： 1）以分立元件为主的谐振放大器； 2）以集成电路为主的集中选频放大器。 几MHz--几GHz;不失真放大。 第二节 谐振放大器 高频小信号放大电路是线性放大电路。Y参数等效电路和混合π型等效电路是分析高频晶体管电路线性工作的重要工具。 1、混合π型等效电路：模拟晶体管物理机构，R、C和受控源； 优点：物理意义明确，在较宽频带内元件值与频率无关； 缺点：分析和测量不方便。 适用于分析宽频带小信号放大器。 2、Y参数等效电路：测量和使用，有源线性双口网络，网络参数； 优点：分析和测量方便； 缺点：网络参数与频率有关。 适用于高频小信号放大电路。 一、Y参数等效电路 双口网络即具有两个端口的网络。所谓端口是指一对端钮, 流入其中一个端钮的电流总是等于流出另一个端钮的电流。 而四端网络虽然其外部结构与双口网络相同, 但对流入流出电流没有类似的规定, 这是两者的区别。 Ｙ参数方程是选取各端口的电压为自变量, 电流为应变量, 其方程如下： 其中ｙ11、ｙ12、ｙ21、ｙ22四个参数均具有导纳量纲, 且: ｙfe越大, 表示晶体管的放大能力越强；ｙre越大, 表示晶体管的内部反馈越强。ｙre是谐振放大器自激的根源, 同时也使分析过程变得复杂, 因此应尽可能使其减小, 或削弱它的影响。 注意： Ｙ参数不仅与静态工作点的电压值、电流值有关, 而且是工作频率的函数。 yie=gie+jωCie yoe=goe+jωCoe yfe=|yfe|∠φfe yre=|yre|∠φre 二、单管单调谐放大器 作用：将微弱的有用信号进行线性放大并滤除不需要的噪声和干扰信号 主要性能指标：电压增益、通频带、矩形系数和噪声系数。  1、电路组成及特点 ２． 电路性能分析 负载的接入系数为ｎ2, 晶体管的接入系数为ｎ1 其中, YL=n21Y′L，是Y′L等效到谐振回路两端的导纳 gΣ=n21goe+n22gie+ge0 CΣ=n21Coe+n22Cie+C 谐振频率处放大器的电压增益 单管单调谐放大器的单位谐振函数Ｎ（ｆ）与其并联谐振回路的单位谐振函数相同, 且都可以写成： 由上述公式可知, 电压增益振幅与晶体管参数、 负载电导、回路谐振电导和接入系数有关：  (1) 为了增大Ａu0, 应选取|yfe|大, ｇoe小的晶体管。  (2) 为了增大Ａu0, 要求负载电导小, 如果负载是下一级放大器, 则要求其ｇie小。  (3) 回路谐振电导ｇe0越小, Ａu0越大。而ｇe0取决于回路空载Ｑ值Ｑ0, 与Ｑ0成反比。 矩形系数？ 与单个并联谐振回路的相同 (4) Ａu0与接入系数ｎ1、ｎ2有关, 但不是单调递增或单调递减关系。ｎ1与ｎ2的选择应全面考虑, 选取最佳值。 例2.1 在图2.2.2中, 已知工作频率ｆ0＝３０MHz, Ｖcc＝６Ｖ, Ｉe＝２ mA。晶体管采用３ＤＧ４７型高频管。其Ｙ参数在上述工作条件和工作频率处的数值如下： gie=1.2mS,Cie=12pF；goe=400μS,Coe=9.5pF；|yfe|=58.3mS, ∠φfe=-22°；|yre|=310μS, ∠φre=-88.8°,回路电感Ｌ＝1.4μH, 接入系数ｎ1＝0.5, ｎ2＝0.3, Ｑ0＝１００。负载是另一级相同的放大器。 求谐振电压增益振幅Ａu0和通频带，并求回路电容Ｃ是多少时, 才能使回路谐振？ 解：忽略yre的作用。 分析可知, 其电压增益取决于晶体管参数、 回路与负载特性及接入系数等, 所以受到一定的限制。如果要进一步增大电压增益, 可采用多级放大器。 ∴ gΣ=ge0+n21goe+n22gie=34.3×10-6+0.52×400×10-6+0.32×12×10-3 ?0.24×10-3S 三、多级单调谐放大器 如果多级放大器中的每一级都调谐在同一频率上, 则称为多级单调谐放大器。 设放大器有ｎ级, 各级电压增益振幅分别为Ａu1, Ａu2, …, Ａun, 则总电压增益振幅是各级电压增益振幅的乘积, 即  Ａn＝Ａu1Ａu2…Ａun 如果每一级放大器的参数结构均相同, 则总电压增益振幅 由上述公式可知, ｎ级相同的单调谐放大器的总增益比