补充半导体器件知识浅析.ppt

数字电子技术（3） 主 讲：吴玉新 手 机: 时 间：2014-10-16 第1-2章 作业讲评 * Multisim软件的安装与使用 1、安装 2、画电路图 3、逻辑形式转换 4、Multisim快速入门指南 * 补充知识：半导体器件 一、半导体基础知识 二、半导体二极管 三、双极性三极管（BJT） 四、场效应管(MOS) 一、半导体基础知识 1、本征半导体 2、杂质半导体 3、PN结的形成及单向导电性 4、PN结的电容效应 1、本征半导体 1.1 何为半导体？ 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质就是半导体。 导体—铁、铝、铜等金属，低价元素。 绝缘体—惰性气体、橡胶、塑料等,高价元素。 半导体—硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素。 导电性是由原子结构决定的。 1.2 何为本征半导体？ 本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体。 导电性能 无杂质 稳定的结构 1.3 本征半导体的结构 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定； 温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。 自由电子 空穴 共价键 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴 动态平衡 1.4 本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度为0K时不导电。 为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？ 自由电子 空穴 两种载流子 2、杂质半导体 2.1 N型半导体 空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？ 杂质半导体主要依靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 +5 自由电子 施主原子 多数载流子 磷（P） 2.2 P型半导体 P型半导体主要依靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强。 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？ +3 受主原子 空穴 多数载流子 硼（B） 3、PN结的形成及单向导电性 3.1 扩散运动 物质因浓度差而产生的运动称扩散运动，气、液、固均有。 N区自由电子浓度远高于P区 P区空穴浓度远高于N区 扩散运动 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低，靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。 3.2 PN结的形成 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，P区出现负离子区，N区出现正离子区，构成不能移动的空间电荷区，形成内电场，内电场使空穴从N区向P区，自由电子由P区向N区运动，从而阻止扩散运动的进行。 漂移运动 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 3.3 PN结的单向导电性 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。 必要吗？ 4、PN结的电容效应 4.1 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 4.2 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 PN结电容：Cj=Cb+Cd 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ 思考问题 1、为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 2、为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 二 、半导体二极管 1、 二极管的组成 2、二极管的伏安特性及电流方程 3、二极管的等效电路 4、二极管的主要参数 1、二极管的组成 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光 二极管 1、二极管的组成 （a）点接触型 结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。 （b）面接触型 结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。 （c）平面型 结面积可小可