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编号：1123108450光刻技术研究目录摘要11.引言32.光刻技术的原理43.光刻系统的组成53.1 掩模版53.2 光刻胶53.2.1 光刻胶的作用53.2.2 光刻胶的主要技术参数53.2.3 光刻胶的分类73.3 光刻机74.基本光刻工艺流程94.1简介94.2 光刻蚀工艺概况105.集成电路所采用的光刻技术125.1简介125.2 EUV技术125.2.1 EUV技术原理浅析125.2.2 EUV技术目前定位困境145.2.3 EUV光学系统145.2.4 EUV光刻对掩膜版的要求165.2.5 EUV光刻前景与展望175.3 X射线光刻技术175.3.1 X射线光刻基础工艺175.3.2 X射线光刻掩模185.2.3 X射线光刻的前景与展望196.光刻技术面临的困难和挑战20参考文献20致谢21摘要：光刻是经过过一系列生产程序，将单晶硅等半导体材料表面薄膜的特定部分除去的工艺。光刻的目的是依据电路功能及性能的要求，形成有精确尺寸的特征图形，并且各个功能块的位置以及与其他部分连接要准确。光刻是集成电路制造中最重要的工艺步骤之一。不断发展的IC制造工艺，使光刻工艺转移图形所限制的尺寸减少了两到三个数量级，光刻技术是一种十分精密的微细加工技术。在新型材料和高新制造技术迅猛发展以及广泛应用的21世纪，充满了信息时代的特征。强有力的市场推动着特大集成电路技术的快速发展。集成电路技术的各个发面在每年都有很多的创新成果出现。早在20世纪中叶，开始对半导体物理、器件设计原理、工艺原理和制造工艺等方面进行了全面的开发研究，半导体器件很快在电子行业中扮演了不可或缺的角色。光刻技术的不断提高和集成电路技术需求紧密相关，要提高和发展光刻技术，主要采用更短波长的光源、新的透镜材料和更高数字孔径光学系统的加工技术，从目前的发展趋势来看，这些技术研究的目标非常明确，就是所谓的后光学光刻或称下一代光刻技术（Next Generation Lithography,NGL)。本文首先介绍了光刻工艺的含义和原理，阐述它在IC制造工艺中的地位和作用，具体介绍了光刻工艺技术所要用到的设备和材料，研究了光刻系统的重要组成部分，介绍了光刻工艺的基本流程，并且主要分析了极端紫外线光刻技术的原理、要求以及光刻技术所面临的困难和挑战，试着找到拥有卓越效果的光刻工艺技术。关键词：光刻技术，重要作用，光刻工艺流程，EUV光刻，困难和挑战Abstract：Photoetching is a kind of technology that removes the specific part of the surface?of?thin?film?silicon?semiconductor?materials though a series of producing process. It aims to form certain picture with precise size under the requirements of the function and property of circuit. This technology is a key step in the circuit production .Lithography technology is a very precise micro processingtechnology.The 21st century, with the development of new materials and high-tech manufacturing technology, is becoming an information age for their wide range of applications. The technology of large integrated circuit develops more and more rapidly duo to the promotion of strong market. Every year, there are many new achievements made in each filed of integrated circuit. As early as the mid-20th century, the research of semiconductor physics, devices design principles, manufacturing technology, and other aspects were beginning in a round. Semiconductor devices soon play an i