晶体管高频小信号等效电路与参数技巧.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * 封面 返回 引言 本页完 引言 返回 晶体管在高频小信号运用时，它的等效电路主要有两种形式：物理模拟等效电路（混合π参数等效电路）和形式等效电路(y参数等效电路) 。 形式等效电路通常亦称为y参数等效电路，是选取输入电压和输出电压为自变量，输入电流和输出电流为参变量，利用导纳参数（y参数），并且不涉及晶体管内部物理过程。 物理模拟等效电路通常称为混合π等效电路，是把晶体管内部物理过程用集中元件RLC表示，用物理模拟方法表示等效电路。这在模拟电子技术中曾提及。 本 节 学 习 要 点 要 求 返回 1、晶体管混合π等效电路 2、晶体管y参数等效电路 3、π参数与y参数的转换 4、晶体管的高频参数 结束 晶体管结构示意图 继续 本页完 rbb rb’e Cb’e c e b b 集电结电容，数值很小。 (C?) Cb’c 发射结电容，数值很小。 (C?) N N P rb’c b c + - - - + + rbb rb’e rce Ube · Ub’e · Uce · Ib · ?Ib’ · e Ic · Ib’ · b 晶体管h参数模型 晶体管h参数模型只适用于电路工作在中频和低频信号的状态下。 rbb’ 和rb’e 的串联值就是 h 参数等效电路中的晶体管输入电阻rbe。 1、晶体管混合?等效模型 e c b 一、晶体管混合?等效电路 3.2晶体管高频小信号等效电路与参数 当电路工作在高频信号时，晶体管的等效模型必须考虑极间电容效应，晶体管高频状态下的等效模型称为混合?参数模型，以下借助h参数模型得出?参数模型。 rc为集电区体电阻，数值很小可忽略。 rb’c为集电结电阻。 rbb’为基区体电阻。 rb’e为发射结电阻。 re为发射区体电阻，数值很小可忽略。 因为有rb’c的分流作用，此时受控电流源不受Ib 控制而受Ib’ 控制，分析起来不大方便，所以也改写为受Ub’e 控制，成为压控电流源，控制能力也由?改为跨导gm。 继续 本页完 晶体管结构示意图 借鉴 h 参数 绘出等效电路 考虑到集电结电阻rb’c横跨cb’间，亦把此电阻画在图上。 rb’c b c + - - - + + rbb rb’e rce Ube · Ub’e · Uce · Ib · ?Ib’ · e Ic · Ib’ · b rbb rb’e Cb’e c e b b (C?) Cb’c (C?) N N P rb’c 一、晶体管混合?等效电路 3.2晶体管高频小信号等效电路与参数 1、晶体管混合?等效模型 gmUb’e · 这个电路就是晶体管混合?模型。 C?横跨在集电结电阻rb’c两端。 C? C?横跨在发射结电阻rb’e两端。 C? 继续 本页完 由h参数等效电路知， rce非常大，对Ic的分流作用很小，可忽略。 2、晶体管简化的混合?等效模型 rb’c是集电结反偏时的电阻，其阻抗远大于C?的容抗，亦可看成开路忽略其作用。 IC? · 简化后晶体管的混合?模型 C? rb’c b c + - - - + + rbb rb’e rce Ube · Ub’e · Uce · Ib · · e Ic · Ib’ · b gmUb’e · b + - - - + + rbb rb’e Ube · Ub’e · Uce · Ib · · b gmUb’e · C? C? Ic c e e C? 一、晶体管混合?等效电路 3.2晶体管高频小信号等效电路与参数 完整的晶体管混合?模型 2、晶体管简化的混合?等效模型 继续 本页完 采用密勒转换把C?拆分为两个电容C?’和C?’’ ，分别与输入和输出回路并接。(推导过程可参考童诗白编《模拟电子技术基础》P214。) 简化后晶体管的混合?模型 C?’ C?’’ b + - - - + + rbb rb’e Ube · Ub’e · Uce · Ib · · b gmUb’e · C? C? Ic c IC? · 本等效电路由于C?横跨在输入和输出之间，令输入与输出相互牵连，使得对电路的分析变得十分复杂，应想法把晶体管的输入和输出回路相互独立，以便分析。 b + - - - + + rbb rb’e Ube · Ub’e · Uce · Ib · · b gmUb’e · C? Ic c e e e e 一、晶体管混合?等效电路 3.2晶体管高频小信号等效电路与参数 一、晶体管混合?等效电路 3.2晶体管高频小信号等效电路与参数 2、晶体管简化的混合?等效模型 继续 简化后晶体管的混合?模