东软模拟电路题库(选择题).doc

1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。 A．外电场 B．内电场 C．掺杂 D．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。 A．正、反向电阻相等 B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍 D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压) A．右移 B．左移 C．上移 D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。 A．增大 B．减小 C．不变 D．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压 B．电流控制电流 C．电压控制电流 D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的值将（ A ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。 A．电流放大系数 B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流 D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为，，，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。 A．多数载流子 B．少数载流子 C．扩散 D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管 B．PNP型锗管 C．NPN型锗管 D．NPN型硅管 1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ C ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（ C ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 3．在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是（ C ）。 A．共射放大电路 B．共基放大电路 C．共集放大电路 D．不能确定 4．在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（ B ）。 A．共射放大电路 B．共基放大电路 C．共集放大电路 D．不能确定 5．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时（无电流），则该管工作状态为（ B ）。 A．饱和 B．截止 C．放大 D．不能确定 6．晶体管能够放大的外部条件是（ B ）。 A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 C．发射结反偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏 7．组合放大电路的输出级采用共射极输出（共集）方式是为了使（ D ）。 A．电压放大倍数高 B．输出电流小 C．输出电阻增大 D．带负载能力强 14．在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（ B ）。 A．共发射极电路的最大、最小、最小 B．共集电极电路的最小、最大、最小 C．共基极电路的最小、最小、最大 D．共发射极电路的最小、最大、最大 15．已知某基本共射放大电路的，，管子的饱和压降，，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为（ B ）。 A．1V B．2V C．5V D．6V 1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ C ）。 A．电阻阻值有误差 B．晶体管参数的分散性 C．晶体管参数受