扫面电镜原理讲义.ppt

电子显微镜介绍 7.1 电子显微镜发展历史 1873 年 Abbe 和Helmholfz 分别提出解像力（分辨被摄原物细节的能力）与照射光的波长成反比。奠定了显微镜的理论基础。 1897年 J.J. Thmson 发现电子 1924年 Louis de Broglie （ 法国物理学家，1929 年诺贝尔物理奖得主） 提出电子本身具有波动的物理特性， 进一步提供电子显微镜的理论基础。 1926年 Busch 发现电子可像光线经过玻璃透镜偏折一般， 由电磁场的改变而偏折。 1931年 德国物理学家Ruska首先发展出穿透式电子显微镜原型机。 1937年 首部商业原型机制造成功（ Metropolitan Vickers 牌） 。 1938年 第一部扫描电子显微镜由Von Ardenne 发展成功。 一束电子经过一系列电磁透镜聚焦后，照射在被观察区域上，电子束与该区域上物质相互作用（或扫描）产生多种电子信号，这些电子信号被不同检测器检测，变成所需要电信号，通过电子学方法（放大、扫描、成像），最终在CRT上得到一幅与原物一样的放大像。 1 二次电子 当入射电子束照射样品时，样品中原子的外层电子受到入射电子激发而发射到样品外的电子。 特点: （1）在它们逸出样品前，受到样品本身的散射，能量有一定损失，其能量范围为0～50 eV。 （2）空间分辨率高，产生二次电子的区域比较小（几十埃至上百埃）。 （3）对样品表面形貌敏感，二次电子的产率与样品及样品表面状态有关，所以，它是研究物体表面形态信息的有力工具。 （4）信号收集效率高。 （5） SEM的图像主要由二次电子提供，二次电子提供的图像叫二次电子像。 2 背散射电子 当入射电子束照射样品时，入射电子在样品中受到原子 核的卢瑟福散射而成大角度散射出样品的电子。 特点： （1）能量损失小，其能量值接近入射电子能量值。 （2）因为入射电子在样品深处被反射出样品，所以产生 范围比较大（0.1～1μm）。 （3）被散射电子形成的像不但与样品的原子序数有关，而且与样品表面状态有关，所以，它反映样品更深层次的信息（加速电压≥5KV），它也是SEM的主要信号，它与二次电子信号构成混合信号，它的存在使SEM的图像立体感更强，图像更生动。 （4）可以利用电子衍射信息，研究物质的形貌和结晶学特性。 3 透射电子 当入射电子束入射样品后，有一部分电子穿过样品，这部分电子叫透射电子。 特点： （1）在样品下方安装一个可调衬度光阑的检测器，则可以得到透射扫描电子像。 （2）TEM就是靠接受这部分电子形成透射像，它可以研究物质的结构。 （3）TEM可以带扫描装置，表示为TSEM；反之，扫描电镜也可以带透射装置，表示为STEM。 4 特征X射线 当高速电子能量大到一定程度（靶材料产生X射线的临界值）后，可以把靶面材料原子结构中内层电子撞击出去，材料内层电子形成空位，外层电子向空位跃迁会辐射x射线。由于不同原子具有不同的电子结构，原子内不同电子轨道间的跃迁能级之差各不相同，因此产生的X射线的频率（或波长）和强度均带有各自原子结构的印记特征，称其为特征X射线。 第8章 扫描电子显微镜(scanning electron microscope, SEM ) 8.1 SEM的信号 8.2 基本工作原理 扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束入射电子经过栅极静电聚焦后，形成一个具有一定能量的、旋转的锥形螺旋体的电子束，再经过1～2级会聚镜（短磁透镜）对电子束的聚焦，最终打到样品上，并经过扫描线圈在样品上进行X-Y扫描，激发出二次电子和背散射电子，这些信号电子经过探测器收集并转换为光子，再经过一系列电信号放大器加以放大处理，最终成像在显示系统上，在CRT上得到一幅与原物一样的放大像。 8.3 SEM的特点 仪器分辨本领较高。二次电子像分辨本领可达1.0 nm(场发射),3.0 nm(钨灯丝)； 仪器放大倍数变化范围大（从几倍到几十万倍），并且连续可调； 图像景深大，富有立体感。可直接观察起伏较大的粗糙表面（如金属和陶瓷的断口等）；它比一般光学显微镜景深大100-500倍，比透射电子显微镜的景深大10倍； 样品制备简单。 8.4 SEM基本参数 放大倍数 　　与普通光学显微镜不同，在SEM中，是通过控制扫描区域的大小来控制放大率的。如果需要更高的放大率，只需要扫描更小的一块面积就可以了。放大率由显像管（CRT） 照片面积除以扫描面积得到。 扫描电镜图像的放大倍数定义为显示器上图像宽度与电子束在试样上相应方向扫描宽度之比 M=L/I