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去胶工艺培训材料 去胶工艺简介 目前线上采用多种方式的去胶工艺 溶剂去胶:主要用于金属之后的去胶，如：SST，WCAKR01；WCDNS01。 氧化去胶:H2SO4/H2O2=10：1去胶、SC1（NH4OH/H2O2）去胶 干法去胶:有等离子去胶、紫外光分解法去胶等， 目前我们在用的干法去胶工艺主要采用Gasonic Aura 1000 /3510/IPC21011等离子体去胶 CSMC去胶工艺模块 A1000/3510干法去胶工艺 A1000/3510干法去胶工艺简介 Aura1000/3510干法去胶设备为一种等离子下游式去胶，其去胶方式可以更小地减少对硅片的等离子损伤，去胶使用气体主要为O2，与光刻胶中的C反应生成CO，去胶温度一般为150-250℃。 O2在低压反应室中由于受到高频电场的作用，被激发成游离态氧原子O*，并发生反应： O2 O*+ O*；CXHY+ O* CO2 +H2O N2 的作用是阻止离化后的O*再次结合为O2以及增强离子轰击。 A1000设备结构原理图 3510设备结构原理图 A1000/3510设备基本参数 A1000/3510工艺原理 当反应气体进入PLASMA TUBE，流经PRE-FIRE SPARKER或UV时，SPARKER产生高压火花