電晶體共射極放大電路.doc

電晶體共射極放大電路(Common Emitter Amplifier) 一、實驗目的 瞭解電晶體之基本特性，以及利用參數等效模型，進行電晶體共射極組態之小信號分析，並推導出其增益值電晶體直流)會隨環境溫度的變化而改變，因此優良的電子電路設計必須將參數變化所造成的影響降至最低，本實驗的共射極放大電路。二、電晶體，則必有一順向電流產生，且。若如圖1(b)在B－C間加上一逆向電壓，則因接合面為逆向，故PN接面不導通，，一極小之逆向飽和電流。若把圖1(b)的E－B間加上一順向電壓如圖1(c)，在驅使下E極內的電洞進入B極，由於B極很薄且參雜濃度低，只有少量的電洞與電子結合造成些微的，因此進入B極的電洞還未與B極的電子結合就受到的影響而進入C極造成大量的。 圖1 PNP電晶體工作情形 表1 電晶體的操作模式 、電晶體共射極組態之直流分析 共射極放大器(common emitter amplifier)，簡稱為CE放大器，基本電路如圖所示，其電晶體的輸入與輸出分別為基極和集極，故此種組態稱為共射極組態。 圖 共射極電路(採用NPN電晶體) 本直流偏壓和電流計算如下： (1)基極輸入電流 (2)集極電流 (直流電流) (3)射極電流，在本偏壓電路中，亦等於 (4)集射極電壓 (6)集基極電壓 四、電晶體共射極組態之分析 及，然後將輸入的交流訊號接上如圖4，