6第六章光源_半导体激光二极管题稿.pptx

第六章光源_半导体激光二极管 半导体激光器（Light Amplification by Stimulation of Emitted Radiation, LASER) 半导体激光二极管简称为激光器（Laser Diode, LD) 6.3.1所用材料 LD工作的三大要素：受激发射材料、粒子数反转和谐振腔。 材料：直接带隙半导体材料 有源区：量子阱结构 泵浦方式：电流注入，通过PN结的直接直接注入即可以实现粒子数反转 谐振腔：法布里-珀罗腔、布拉格腔、布拉格发射器 直接带隙半导体材料的带隙（禁带宽度）决定了激光器自发辐射的波长范围。 电子跃迁过程产生的光子能量为： 发射波长为： h为普朗克常量 典型的LD的基本结构：有源区、光反馈装置、 频率选择元件和光波导 6.3.2.1 基本结构 6.3.2.1 基本结构 有源区：实现粒子数反转分布、光增益的区域，采用双异质结结构可以有效地提高激光器的增益效率 光反馈装置：在光学谐振腔内提供正反馈，以建立稳定的激光振荡 频率选择元件：用来选择由光反馈装置决定的所有纵模中的一个模式 光波导：对所产生的光波在激光器内部进行引导 各个结构的发展过程 异质结：同质结、单异质结、双异质结、分离限制异质结到量子阱、量子线、量子点 谐振腔：法布里-珀罗腔、布拉格腔、布拉格发射器到垂直腔面、微腔 条形波导：宽接触到条形结构（选模和导波，使LD获得稳定的单纵模） 6.3.2.2 典型结构 双异质结构对电子和空穴和光子的有效约束，可以 提高注入效率、降低阈值电流密度。 双异质结激光器的工作原理 窄带隙材料P-GaAs被夹在两个宽带隙材料N-AlGaAs和P- AlGaAs之间。因此，在不同材料之间形成两个异质结。 在双异质结上施加正向偏置电压时，外加电场驱动来自N 区的电子和来自P区的空穴流入窄带隙的P区。同时，PN 结上存在的电子势垒和PP结上存在的空穴势垒又起到了 屏蔽效果，防止进入P区的电子流和空穴流越过结的边界 向周围区域扩散。这样，自由运动的电子和空穴聚集在P 区，它们相遇并复合，从而产生光子。 体材料激光器：有源层厚度为100~200nm 量子阱激光器：有源层厚度为10nm左右时， 有源层的载流子运动呈现出量子特性。 超晶格：两种半导体晶体A和B，以厚度几个原子层到十几个原子层的晶体薄膜形式交替重叠 量子阱：能带呈现阶梯状的分布结构，可以有效地提高LD的有源层量子态密度和对注入载流子进行量子化限制，提高增强载流子注入效率，从而获得很高的光增益。 量子阱激光器：小阈值电流、高光增益功率、灵活工作波长、窄光谱线宽和良好的温度特性 量子阱：能带呈现阶梯状的分布结构，可以有效地提高LD的有源层量子态密度和对注入载流子进行量子化限制，提高增强载流子注入效率，从而获得很高的光增益。 量子线：在半导体晶体A中形成的带隙比较小，直径为几个原子到几十个原子的半导体晶体的细线。电子与空穴的能级按照两维方向量子化，只有沿着一维方向的能级是连续的。量子线的两个方向受势垒限制，只有一个方向是自由的。 量子点：在半导体晶体A中形成的带隙比较小，直径为几个原子到几十个原子的半导体晶体的微小区。能级按照三维方向量子化，因此，量子点全部为离散能级。量子点的三个方向受势垒限制。 LD内部形成激射的两个基本条件： 产生粒子数反转 建立起稳定的激光振荡 LD的工作原理 LD是通过电流注入方式来实现粒子数反转。工作 物质能够有效地提供电子跃迁，在泵浦源的作用 下，工作物质发生粒子数反转分布，在有源区形 成增益，从而最终使外界供给的能量转变为光子 释放出来。 LD实质是自激振荡的激光放大器。LD工作时初始光场 来源于导带和价带之间的自发辐射，光场的频谱较宽， 方向杂乱无章。通过光学谐振腔建立稳定的激光振荡， 实现对光的频率与方向进行选择，获得单色性和方向 性好的激光。 6.3. 3 工作原理 6.3. 4 分类方法 异质结构：通过电流注入异质结构和量子阱形成的光波，以达到限制横模的数量，获得稳定的横向增益和降低阈值电流。 谐振腔：解决由于光纤色散导致光脉冲展宽使光纤通信系统传输速率（容量）受限制问题。光纤通信系统应该选择单纵模作为光源。 条形结构：为了实现光场和载流子的横向分布约束在有源区，使激光器有效地工作，必将设法将注入电流限制在激光器长度方向的条形（窄条）结构内。决定着阈值电流、光谱模式。 6.3. 4 分类方法 有源区：双异质结（P限制层和N限制层之间） 谐振腔：法布里-珀罗谐振腔（ 有源区两端晶体天然的解里面作为反射镜） 光波导：有源区 6.3. 5 法布里-珀罗激光器 工作原理：沿着PN结垂直方向构成双异质结，工作电流注入有源区，实现粒子数反转分布和电子-空穴复合发光。利用两端晶体的天然解理面作为反射镜和有源