12第3章MOSFET教案.ppt

2．防止偶然性振荡损坏器件 ● 偶然性振荡原因：电力MOSFET与测试仪器、接插盒等的输入电容、输入电阻匹配不当时可能出现偶然性振荡，造成器件损坏。 ●预防措施：用图示仪等仪器测试时，在器件栅极端子处外接10kΩ串联电阻，也可在栅-源极之间外接大约0.5μF的电容器。 复习思考题： 1、影响电力MOSFET静态和动态均流的因素有哪些？可采取什么措施？ 2、电力MOSFET的栅极耐压有多少？怎样防止栅极过电压？ 3、怎样对电力MOSFET的漏-源过电压进行保护？ 4、怎样预防电力MOSFET的静电击穿？ 电力MOSFET作业： 1、电力MOSFET的通态电阻Ron那些电阻组成？其阻值随哪些因素变化？ 2、电力MOSFET的开启电压VT的含义是什么？它是怎样定义的？ 3、IR2110集成驱动电路的设计特点是什么？它的自举电源的结构和工作原理是怎样的？ 4、怎样对电力MOSFET的栅极过电压、漏-源过电压进行保护？ ★自举元件选择： 自举二极管VD1的耐压能力必须大于高压母线的峰值电压，为了减小功耗，应采用超快恢复二极管。 自举电容C1的容量与器件的开关频率、占空比和栅极电容有关，对5kHz以上的开关应用，通常采用0.1μF的电容。 电容C2、C3的作用，是增强电源向器件的容性负载提供瞬态电流的能力。 ★插图23为用IR2110驱动三相逆变桥的电路。该电路主回路与控制回路隔离，且只用两个独立直流电源。但没有关断驱动电源。 插图23 用IR2110驱动三相逆变桥 IR2110的负驱动电压产生电路： C1滤波，C2储能，C5、C6产生负压。 IR2110在BUCK变换器中的应用： 图17为用IR2110的高端部分驱动BUCK变换器中的MOSFET。对自举电容的初始充电是通过电感和滤波电容进行的，为了确保对自举电容的充电电压不超过Vss (20V)的限制，可在自举二极管支路串联一个电阻或在自举电容上并联一个齐纳二极管。 3、IR2233具有六路输出电力MOSFET集成驱动电路 （1）IR2233的结构 ★IR2233是IR2133/IR2233/IR2235系列驱动芯片中的一种，是专为高电压、高速度的电力MOSFET和IGBT驱动而设计的。 ★该系列驱动芯片内部集成了互相独立的三组半桥驱动电路，可对上下桥臂提供死区时间，特别适合于三相电源变换等方面的应用。 ★其内部集成了独立的运算放大器，可通过外部桥臂电阻取样电流构成模拟反馈输入。 ★该芯片还具有故障电流保护功能和欠电压保护功能，可关闭六个输出通道。同时，芯片能提供具有锁存的故障信号输出，此故障信号可由外部信号清除。各通道良好的延迟时间匹配简化了其在高频领域的应用。 ★IR2233有标准双列直插式DIP-28、方形PLCC-44及双列扁平表面贴面式SOIC-28等三种封装形式，其引脚排列如插图26所示 插图26 IR2233的引脚排列 （2）各引脚的名称、功能及用法 表 IR2233各引脚的名称、符号及功能 引脚 符号 名 称 功 能 或 用 法 22 23 24 HIN1 HIN2 HIN3 高端逻辑输入端 三路高端逻辑输入，低电平有效，接用户控制脉冲形成电路，对应三路高端输出 25 26 27 LIN1 LIN2 LIN3 低端逻辑输入端 三路低端逻辑输入，低电平有效，接用户控制脉冲形成电路，对应三路低端输出 28 FAULT 故障输出端 当过电流或欠压保护(低端)时，输出逻辑低电平(有效) 21 VCC 电源连接端 逻辑电源和低端电源端，接用户提供的12~25V电源 1 ITRIP 过电流信号输入端 接用户电流传感器对电流取样的输出，当发生过流时，关闭驱动输出 2 FLT-CLR 清除故障输入端 此输入信号可清除芯片的故障锁存，低电平有效，接用户外部复位电路的输出 6 SD 关闭驱动输入端 此信号强制关闭芯片驱动输出，接外部保护电路的输出，高电平有效 3 CAO 电流放大器输出端 与引脚4间接反馈网络，该放大器可提供用户作为闭环调节器 4 CA－ 放大器反向端 电流放大器负极性输入端 5 CA+ 放大器同向端 电流放大器正极性输入端 7 VSS 逻辑电源地 逻辑输入信号地，接VCC地、系统地 8 COM 低端输出公共端 低端栅极驱动的参考端，接低端MOSFET的公共地 20、17、14 VB1、VB2、VB3 高端浮动电源端 对三路高端驱动电源，通过恢复VD接VCC，同时这三个端子分别通过一高质量电容接引脚VS1、VS2、VS3 19、16、13 HO1、HO2、 HO3 高端驱动输出端 三路高端驱动输出，分别通过电阻接MOSFET的栅极 18、15、12 VS1、VS2、 VS3 高端浮动电源地端 三路高端电源地，接高端三