chapter2数字部分—集成电路cad的设计.pptVIP

参考书目： 1、半导体集成电路，朱正涌 编著。清华大学 出版社。 2、数字集成电路电路-电路、系统与设计，[美]Jan M.Rabaey.周润德 译。电子工业出版社。 例：画出在开关期间nmos管工作点的移动轨迹。（阶跃电压Vi从0变化到VDD时，Vo和ID的关系曲线）  6.先行进位加法器设计练习 黑龙江大学集成电路与集成系统 设计一个3位先行进位加法器，完成A0A1A2和B0B1B2的相加得到的和（包括进位）。 （用逻辑门组成） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * * * 按负载元件和驱动元件之间的关系可分为有比反相器和无比反相器， 有比反相器在输出低电平时，驱动管和负载管同时导通，其输出低电平由驱动管的导通电阻和负载管的等效电阻的分压决定。为了保持足够低的低电平，两个电阻要保持一定的比值。 无比反相器在在输出低电平时，只有驱动管导通，负载管截止，在理想情况下，其输出电平等于0。 * * 在保证输出高、低电平基本不变（或者说变化的大小未超过允许限度）的条件下，输入电平的允许波动范围称为输入端噪声容限。 为了正确区分1和0这两个逻辑状态，首先规定输出高电平的下限VOH（min）和输出低电平的上限VOL（max），根据这两个值， 又可以规定输入低电平的上限VILmax和输入高电平的下限VIHmin。 * * * 上升时间是波形从它的稳态值的10%上升到90%所需的时间。 * 延迟时间是指输入电压变化到稳态值的50%的时刻和输出电压变化到稳态值的50%的时刻之间的时间差。 * 如果考虑扩散区和衬底之间的反向漏电流，则产生很小的静态功耗。 在室温情况下，对于反相器，由于反向漏电流所造成的静态功耗的典型值为1~2nW。 * 在从0到1或者从1到0瞬变过程中的一个很短的时间间隔内，nmos和pmos管都处于导通状态，这将 导致一个窄的从VDD流到Vss的电流脉冲，由它引起的功耗叫交流功耗PA。其大小取决于负载电容和 门的设计。 * 为了对输出端负载电容进行充电和放电，也要求有电流流动，由此引起的功耗叫做瞬态功耗PT 。 通常，负载电容的充放电电流是造成动态功耗的主要因素。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 黑龙江大学集成电路与集成系统 1. 或非门（nor?） (1)电路结构示例 VDD C B F nor4 A D VDD A B F F nor2 VDD C B F nor3 A 静态CMOS门电路 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 黑龙江大学集成电路与集成系统 VDD A B F nor2 PMOS管 导通时等效PMOS管的宽长比减小 NMOS管 随着导通NMOS管个数的增加等效宽长比加大 输入端数过多将严重影响tr(速度)和噪声容限 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 黑龙江大学集成电路与集成系统 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 黑龙江大学集成电路与集成系统 2. 与非门（nand?） (1)电路结构示例 VDD A B F nand4 C D F A B nand3 C VDD A B F nand2 VDD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 黑龙江大学集成电路与集成系统 NMOS管 导通时等效NMOS管的宽长比减小 PMOS管 随着导通PMOS管个数的增加等效宽长比加大 A B F nand2 VDD 输入端数过多将严重影响tf(速度)和噪声容限 (2)性能分析示例 Evaluation only. Created with Aspose.Slides f