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模拟电路之《三极管》 主讲人：许猛华 电信1302 说课环节 一、教学内容 主导教材 高等教育出版社出版，康华光主编《电子技术基础-模拟部分》 辅助教材 《电子线路》线性部分(第四版) 谢嘉奎 高教出版社 《模拟电子技术基础》　华成英　高教出版社 教学章节 第三章 三极管及其放大电路 第三章 三极管及其放大电路 BJT 放大模式下BJT的工作原理 基本共射极放大电路的分析方法 放大电路静态工作点的稳定问题 共集放大电路和共基放大电路 组合放大电路 *放大电路的频率响应 二、教学对象 电气信息类专业大学二年级学生 教法 教什么 直观教学法 模像直观（三极管实物） 学与教 三、教法学法 学法 学什么 实践与理论相结合 四、教学过程 课后学生学习的反馈 学生的课堂反应 备课：备重点—三种工作模式 难点—静态工作点、组合放大电路 完成课后作业 通过练习例题理解重难点 备课 上课 课后 教学方法 课堂氛围 五、教学反思 做好新旧知识的衔接，回顾二极管相关知识。 应该更加注重学与教相结合，采用创新的教学方法，提高学生的学习兴趣。 要充分做好课堂同学们对所学知识反馈，及时做好课堂进度的调整。 注重学生为主体，教师主导的学习氛围，让学生在做中学，强调学生的主体地位。 应该及时了解学生对三极管学习的情况，从作业反映学习情况。 第三章 双极结型三极管及 放大电路基础 3.1 BJT 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结背对背排列组成的。 实物图像 半导体三极管的型号 3DG110B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 双极结型三极管 NPN型 符号: PNP型 排列方式不同 3.2 放大模式下BJT的工作原理 BJT工作在放大模式下， 须满足内部条件和外部条件。 (1)外部条件： 发射结正偏： 集电结反偏： 由VBB保证 由VCC、 VBB保证 UCB=UCE - UBE 放大模式 发射结正偏， 集电结反偏。 饱和模式 发射结和集电结 均加正偏。 截止模式 发射结和集电结 均加反偏。 比较： 三极管与二极管一样属于非线性器件，但其特性与工作模式有关。 重点讨论BJT的放大模式，以NPN型为例，讨论结果对PNP型同样适用，只是所需电压极性相反，产生的电流方向相反。 （2）内部条件： ①发射结为不对称结：e区掺杂浓度远大于b区； ②基区宽度很小； ③集电结面积大于发射结面积（约3~5倍）。 目的： 使E区多子自由电子通过发射结注入、基区扩散（复合）和集电区收集（通过C结漂移）三个环节将IEN 转化为ICN ，大小仅受E结电压控制。 一、BJT内部的载流子传输过程 1.因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 2.发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 LOREM IPSUM DOLOR 3.因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。 另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 （1）共基极 （3共集电极 ENIM （2）共射极 三种连接方式 四、BJT的主要参数 成功需要有一颗探索科学的心 THANK YOU