LED薄膜沉积讲义.ppt

Beijing Normal University 离子注入原理 薄膜淀积 薄膜淀积技术 微芯片加工是一个平面加工的过程，这一过程包含了表面生长不同薄膜层的步骤。 薄膜种类 金属层 接触与互连 铝、铝合金、铜 介质层 层间介质（低介电常数） 电容介质（高介电常数） 半导体薄膜 薄膜生长方法 物理气相淀积（PVD） 蒸发 溅射 化学气相淀积（CVD） 电镀 主要内容 薄膜特性 物理气相淀积（PVD） 蒸发 溅射 台阶覆盖：淀积薄膜的表面几何形貌与半导体表面的各种台阶形状的关系。 填充性 在0.25um以下尺寸的器件工艺中，填充硅片表面很小的间隙和孔的能力成为最重要的薄膜特性 高的深宽比间隙和孔难以淀积形成厚度均匀的薄膜，并会产生空洞 蒸发 通过把被蒸源材料加热，利用源材料在高温(熔点)时的饱和蒸气压，凝聚沉积在晶片表面，形成薄膜。 普通真空镀膜 超高真空镀膜 真空 蒸发原理 本底真空pg 10-6 Torr 蒸发源加热到蒸发温度 分子自由程大（λ/L 1），分子作直线运动，沉积在晶片与器壁上 可以得到高纯的薄膜 蒸发过程中，热平衡状态下的饱和蒸汽压： 电阻加热蒸发 电阻丝加热器对材料的要求 电阻丝的熔点要远高于蒸发源的熔点 有良好的热稳定性，化学性质不活泼，达到蒸发温度时加热器本身的蒸汽压要足够底。 与蒸发物质的互熔性必须很低，蒸发过程中不与蒸发源形成合金 与蒸发源的浸润性好 容易加工成各种形状 衬底加热器 通常为石墨 易吸附气体和其他杂质，引起沾污 射频加热 石墨坩埚 电子束蒸发 高能聚焦电子束打倒蒸发源表面，使之熔化并蒸发到硅片表面，形成薄膜 电子枪与磁场 膜厚控制精确（电子束功率），重复性好 蒸发束流密度 Si材料的面密度： 在室温下，10-6Torr的真空下，只需要三秒钟，残余气体就会布满Si的表面。 如果想得到更高纯度的薄膜，就需要提高本底真空，提高蒸发源的温度，使得： Al的蒸发温度应该大于800℃ 几何因子： 蒸发质量控制 薄膜的表面状况 真空不够或扩散泵返油严重 加热器处理不干净 蒸发源表面的氧化层未挥发掉就过早打开挡板 铝源蒸发完未及时关闭挡板，AlW4或其他杂质蒸到硅片上 薄膜厚度 蒸发系统 溅射 用高能离子（电场加速的正离子）冲击固态靶的表面，靶原子被撞击出固体表面并淀积在硅片表面形成薄膜的物理过程 溅射方法 直流二极溅射：导体膜的溅射 射频溅射 磁控溅射 离子的轰击作用 电子的热运动速度远大于离子 电子快速运动到电极和反应室的侧壁，极板上累计负电荷，产生自偏压（直流偏压） 直流偏压阻止电子飞向极板，加速正离子轰击电极。 溅射的原理 射频溅射 在大规模集成电路的生产中，溅射法逐渐取代曾经在物理气相沉积中占主要地位的蒸发法，是因为它具有以下优点： 溅射过程可在一个面积很大的靶子上进行，这样就简化厂在大尺寸的硅晶片上沉积薄膜厚度的均匀性问题。 在选定的工作条件下，比较容易控制膜厚。只要调节时间就可以得到所需厚度。 溅射法沉积的薄膜的合金成分比蒸发法容易控制。 改变加在硅晶片上的偏压和温度可以对薄膜的许多重要性质加以控制，如台阶覆盖和晶粒结构等。 在开始溅射沉积以前，可以在真空中先进行溅射消除(表面上的氧化物等)。 动量转移 通常用惰性气体Ar 能量转移 当M1和M2相当时，转移的能量最大 溅射过程 溅射用射频频率：13.56MHz Sputter rate depends on angle of incidence, relative masses, kinetic energy. 产额 溅射中实际问题 溅射速率高，在较低的电压（300-700V）及溅射压力（0.13-1.3kPa）下可获得较大的功率密度，溅射效率大大提高，淀积膜的质量高 磁控溅射 * * 组分正确 玷污缺陷少 电学和机械性能好 粘附性好 均匀性好，晶片内，晶片之间以及非平面的晶片表面上薄膜厚度的均匀性 台阶覆盖性 填充性 薄膜特性 共形台阶覆盖，反应物淀积后快速迁移 非共形台阶覆盖，反应物在吸附、反应时没有显著的表面迁移 导致较高的金属连线的电阻、差的机械性能 空洞的形成过程 SEM images of coverage and filling problem Poor step coverage of TiWTi metal stack layer over an oxide deposited by sputter deposited Voids in a CVD oxide layer for narrow spaces between metal lines 普通真空镀膜 p ~10-6 Torr (1.3× 10-4 Pa) 残余气体： H2O、N2 、H2 、He 、O2等 超高真空镀膜 p 1