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EL测试仪培训 EL缺陷图片分析 目录 EL测试仪应用介绍 EL测试仪原理及结构介绍 EL（ electroluminescence ）：电致发光 电致发光(英文electroluminescent)，又可称电场发光，简称EL，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。 根据发光原理分为本证电致发光和注入式电致发光，半导体发光二极管（LED）就是使用注入式电致发光。 外加电压V 由于晶硅电池片具有PN结结构，接入正向偏压V后，本身平衡的载流子在电场作用下移动，少数载流子在导带低向价带顶发生跃迁，激发出能量为Eg的光子。对于Si，该方式发光的波长为： 波长γ =hc/Eg=1110nm EL测试仪原理及结构介绍 在掺杂的晶体Si中存在施主、受主能级，其他杂志能级，缺陷能级等，注入的非平衡载流子也可在上述能级间复合发光，因为上述能级间能量小于Eg，因此辐射的光波长大于1110nm。 Si 电子注入发光光谱 右侧1300-1700nm间也存在发光光谱，该光谱主要为缺陷能级复合的发光光谱。 EL测试仪原理及结构介绍 电致发光的亮度正比于总的非平衡少数载流子数量，正比于少子扩散长度，正比于电流密度。 EL亮度与少子扩散长度的关系 EL测试仪原理及结构介绍 电致发光（EL）缺陷检测仪结构 当太阳能电池加正向偏压时，可以将其看作一个发光效率很低的发光二级管 EL测试仪应用介绍 EL缺陷测试仪在正向偏压下，可检测如下太阳能电池、组件缺陷： 在反向偏压下，可以检测电池片中因各种缺陷所造成的漏电，可通过不同电压值下漏电大小并结合图片发现漏电区域及严重程度。 EL缺陷图片分析 正常电池片测试图片亮度较高，亮度较均匀。 正常电池片 EL缺陷图片分析 隐裂片 EL缺陷图片分析 材料缺陷 EL缺陷图片分析 烧结炉带网纹 EL缺陷图片分析 断栅 EL缺陷图片分析 边缘过刻 EL缺陷图片分析 晶界、暗纹 EL缺陷图片分析 边缘漏电 EL缺陷图片分析 划痕 EL测试仪与Correscan对比 温度对EL测试的影响 本征缺陷（晶格缺陷、晶界等）的EL图像对温度较敏感，而非本征缺陷（断栅、裂纹等）导致的EL图像对温度变化不敏感。因此可以通过不同温度下的EL图像的差别来加以区分。 温度增加 谢谢！