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第6章 晶体缺陷 缺陷：原子排列偏离严格的周期性。 晶体中缺陷的存在，影响到晶体的许多物理性质和物理过程。 缺陷的分类 费仑克缺陷 热缺陷 肖特基缺陷 点缺陷 杂质原子 反肖特基缺陷 色心 棱位错 缺陷 线缺陷 位错 螺位错 面缺陷 层错 小角晶界 晶粒间界 体缺陷 6.1 点缺陷 一、点缺陷 点缺陷：范围在1~几个晶格常数 a 内的缺陷。 空位：振动剧烈时，原子脱离格点后，运动 到表面或间隙位置，内部留下的空格点。 间隙原子：脱离格点的原子，进入晶格间隙位 置。 二、热缺陷：由于晶体中原子或离子热运动 产生的点缺陷。 1、费仑克Frenkel缺陷： 离开格点的原子全部进入间隙位置，晶体内空位与间隙原子数相等。 费仑克缺陷 2、肖特基Schottky缺陷： 离开格点的原子全部运动到表面，形成新表面，晶体内只存在空位。 3、反肖特基缺陷：晶体表面原子进入体内形 成间隙原子。 无位错单晶空位腐蚀坑 高温退火后空位腐蚀坑 4、形成能 空位形成能：原子脱离格点后运动到晶体表 面所需要的能量。 间隙原子形成能：原子脱离格点后运动到间 隙位置所需要的能量。 一般而言，空位形成能小于间隙原子形成能。 5、空位运动与复合 空位运动：空位和间隙原子是运动的，空位附近的 原子跳到空位上叫空位运动。 复合：间隙原子与空位相遇时，产生复合。 空位运动 三、色心：空位能吸收可见光是透明的晶体 出现颜色。 四、杂质原子 1、间隙式杂质原子：杂质原子的半径比晶 格原子半径小时，易形成间隙式。 2、替位式杂质原子：杂质原子的半径与晶 格原子半径相近时，易形成替位式。 r杂 r晶 r杂 r晶 间隙式 替位式 半导体中的杂质 半导体中的掺杂（极微量），对半导体的性质产生决定性的影响。 例，105个Si掺入1个B原子，电导率提高103倍。 1、形变 弹性形变：晶体受外力较小时，形变遵从虎克定律。 范性形变：晶体受外力较大时，永久形变或断裂。 2、滑移:当晶体发生范性形变时，某晶面沿某方向移动。 一般而言，滑移总是沿着原子排列较密的晶向和晶面进 行。 3、位错：某一条线（位错线）附近的原子排列与完整 的晶格不同。 6.2 线缺陷 —— 位错 一、形变与位错 二、位错的类型 1、棱位错（刃位错） x 从 z 的反方向（由上向下）看 2、螺位错 x z 沿ABCD面把晶体切开，沿 z 反方向推，使表面向下滑移一个原子间距 b . ADEF —— 滑移面 AD —— 位错线 b —— 滑移矢量 螺位错的特点：b AD 3、混合位错 实际晶体中通常既有棱位错也有螺位错。 E 棱位错 螺位错 多余半晶面 b b 棱位错腐蚀坑 螺位错腐蚀坑 三、位错的特性 位错密度 1、位错特性 （1）位错线是非几何线，而是“管道”线。位错线 延伸到表面才终止。 （2）器件击穿多是在位错地方。 （3）位错附近原子能量大，不稳定，易被杂质原子 代替、易被腐蚀。 （4）位错在有条件时发生运动，从高能位置转移倒 低能位置。 2、位错