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1.说出典型PN结隔离工艺用到的光刻掩膜版(mask)名称及其作用? 1. 单纯减小工艺特征尺寸对MOS器件会有哪些不良影响？为什么？ 1. 说出下列单元电路的各自名称。并对其中两个进行特性比较。 2. 说出下列单元电路的各自名称。并对其中两个进行特性比较。 3. 单纯减小工艺特征尺寸对MOS器件会有哪些不良影响？ *HIT Micro-Electronics Center 微电子中心 HMEC 集成电路设计原理 *微电子 4月9日课前提问 2.典型PN结隔离工艺中引出NPN管的电极时应注意什么？埋层有什么作用？ 3.典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩散或发射区扩散之后？ P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ N+ C E B 剖面图 4月11日课前提问 1.说出N阱硅栅CMOS基本工艺用到的光刻掩膜版(mask)名称及其作用? 3. N阱硅栅CMOS基本工艺中采用的场区注入有哪些作用？ 2.在N阱硅栅CMOS基本工艺中采用局部氧化的目的是什么？ 4. N阱CMOS基本工艺中引出MOS管衬底电极需要注意什么？每个MOS管是否都可以有独立的衬底？为什么？ 4月16日课前提问 1.双硼扩散穿通型超增益NPN晶体管在版图设计中有哪些注意事项？ 3.N+埋层对NPN管、横向PNP管和衬底PNP管分别有什么影响？ 2.在N阱硅栅CMOS基本工艺中是由哪些光刻掩膜版共同确定出P+注入窗口？ 4.在N阱硅栅CMOS基本工艺中采用的场区注入工艺有什么作用？ 4月18日课前提问 1.NPN管在发射极条长相同的情况下，双基极双集电极形与单基极条形相比较有哪些特点？ 3.在N阱硅栅CMOS基本工艺中，寄生可控硅结构有什么危害？如何抑制其危害？ 2. 在N阱硅栅CMOS基本工艺中，引线孔、通孔和钝化窗口的作用分别是什么？ 4月25日课前提问 2. 简述等比例缩小理论的基本思想。 3.选择扩散电阻条宽时一般要考虑哪些因素？基区扩散电阻、基区沟道电阻和离子注入电阻各具有哪些优缺点？ 5月2日课前提问 （1） 双极型集成电路中集电极电位相同的晶体管都可以放在同一个隔离区中；N阱CMOS集成电路中所有NMOS管具有相同的衬底，而所有的PMOS管也具有相同的衬底。 （2） CMOS集成电路抗闩锁设计是为了防止功耗过大烧毁芯片，进行抗闩锁设计的芯片就一定不会被烧毁。 下面的说法是否正确？为什么？ 5月2日课前提问 （3）集成电路版图必须遵循设计规则进行设计，不能大于设计规则中定义的最小条宽和最小间距。制作集成电路所用的光刻掩膜版是依据集成电路版图制作的，所以集成电路版图的图层与光刻掩膜版之间存在一一对应的关系。 下面的说法是否正确？为什么？ 5月9日课前提问 （2）CMOS与非门和或非门的输入端数为什么不宜过多？ （1）CMOS反相器中，NMOS管宽长比越大，低电平输出速度越快、输出低电平越低；而PMOS管宽长比越大，高电平输出速度越快、输出高电平越高。这种说法是否正确，为什么？ 5月14日课前提问 （1）C2MOS反相器为什么不宜设计成强驱动？ E/E饱和负载NMOS反相器为什么速度慢、功耗大？ VDD A C F C Vi Vo VDD ML MI （2） E/E饱和负载NMOS与非门和或非门中，哪种门电路的特性相对会好些？ A B F VDD ML A B F F VDD ML 5月16日课前提问 Vi Vo VDD ML MI Vi Vo VDD ML MI VGG Vi Vo VDD MB MI ML CB VGL 5月16日课前提问 Vi Vo VDD MD ME Vi Vo VDD MP MN Vi Vo VDD MP MN 5月21日课前提问 1.定性比较CMOS与非门和或非门的特性。 VDD C B F A D VDD A B F C D 5月21日课前提问 2.衬底偏置效应对下面电路分别产生哪些影响？ F A B C VDD VDD C B F nor3 A A B F VDD ML 5月23日课前提问 1.下面的电路完成什么功能？设计时应注意什么问题？为什么？ D Q CP D CP Q c a b d VDD VDD VDD a b c d 5月28日课前提问 2.选择扩散电阻条宽时一般要考虑哪些因素？基区扩散电阻、基区沟道电阻和离子注入电阻各具有哪些优缺点？ 1.下列电路哪些输出高电平能达到电源点位？哪些输出低电平能达到地电位？哪些理想的静态功耗为零？哪些可在CMOS基本工艺下实现？ A B F F VDD ML Vi Vo VDD MD ME Vi Vo VDD MP MN Vi Vo VDD MP MN