NAND Flash的底层结构和解析.pdfVIP

原文地址：/thread-10125-1-1.html 这里我想以一个纯玩家的角度来谈谈关于 NAND Flash的底层结构和解析，可能会有错误 的地方，如果有这方面专家强烈欢迎指正。 NAND Flash 作为一种比较实用的固态硬盘存储介质，有自己的一些物理特性，需要有基 本的管理技术才能使用，对设计者来说，挑战主要在下面几点： 1.需要先擦除才能写入。 2.损耗机制，有耐久度限制。 3.读写时候造成的干扰会造成数据出错。 4.数据的保存期。 5.对初始和运行时候的坏块管理。 只有至少满足这些基本的管理技术，才能让 NAND Flash成为一款可以使用的固态存储介 质。（这里还没有谈到任何关于性能的地方，因为那是这些基本条件满足后的事。） 当满足了上面的 5点后，才该谈到稳定，性能，耐久度，影响这些的 5大因素为： 1.SLC和MLC 2.平衡磨损算法 3.透过坏块管理技术确保数据的完整性。 4.使用错误检测和校正技术 5.写入放大 只有满足了这些条件，才能得到一款理想中的完美的固态硬盘。 Flash 全名叫做 Flash Memory，属于非易失性存储设备 (Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易 失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中， 即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了 Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等， 与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的 SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的 DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。 Flash 的内部存储是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有个悬浮门 (Floating Gate)，是真正存储数据的单元。 数据在 Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少，取 决于图中的控制门（Control gate）所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷 还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值 Vth 来 表示。 1.对于 NAND Flash的写入（编程)，就是控制 Control Gate去充电（对 Control Gate 加压），使得悬浮门存储的电荷够多，超过阈值 Vth，就表示 0。 2.对于 NAND Flash的擦除(Erase)，就是对悬浮门放电，低于阀值 Vth，就表示 1。 NAND Flash的架构: 如上图所示，这是一个 8Gb 50nm的 SLC颗粒内部架构。 每个 page有 33,792个单元，每个单元代表 1bit(SLC)，所以每个 page就是 4096Byte + 128Byte（SA）。 每个Block有64个page组成，所以每个Block容量为262,114Byte + 8192Byte （SA） page 是 NAND Flash 上最小的读/写单位（一个 page 上的单元共享一根字符线 Word line），块是最小的擦除单位（。不同厂牌不同型号颗粒有不同的 page和 block大小。 下图是个 8Gb 50nm的 SLC颗粒。 4KB的页尺寸，256KB的块尺寸。图中 4096字节用于存储数据，另外 128字节用来做 管理和 ECC用。 SLC 和 MLC 区别： SLC主要针对军工，企业级应用，有着高速写入，低出错率，长耐久度特性。 MLC 主要针对消费级应用，有着 2倍容量于 SLC，低成本，适合 USB闪盘，手机，数码 相机等储存卡。如今也被用于消费级固态硬盘上。 由上图可以看到，MLC和 SLC虽然使用相同的电压值，但是电压之间的阀值被分成了 4份， 直接影响了性能和稳定性。主要有下面几点： 1.相邻的存储电荷的悬浮门间会互相干扰，造成悬浮门里的电荷不稳定出现 bit错误，MLC 由于阀值相比 SLC更接近，造成出错几率更大。 2.MLC读写性能降低，写入更是降低 50%以上，因为需要确认充入电荷的量，这需要更精 确的处理。SLC只有 0和 1，也就是有和没有，而MLC会有 00,01,10,11 4个状态，在 充入电荷后还要去判断是哪个状态，自然就慢了。 3.因为上面说的，造成额外的读写压力，所以功耗明显增大。 4.因为额外的读写压力，造成闪存的写入耐