3太阳能光伏电池解释.pptxVIP

太阳能光伏电池材料介绍;太阳能电池基本原理;太阳能电池是由电性质不同的n型半导体和p型半导体连接合成，一边是p区,一边是 n 区，在两个相互接触的界面附近形成一个结叫p - n结，结区内形成内建电场，成为电荷运动的势垒。; 当太阳光入射到太阳电池表面上后,所吸收得能量大于禁带宽度，在p-n结中产生电子-空穴对，在p-n结内建电场作用下，空穴向p区移动，电子向n区移动，从而在p区形成空穴积累，在n区形成电子积累。若电路闭合，形成电流。; 几千年来人类无意识地利用太阳能来取暖和晾晒物品，直到19世纪末才出现了第一台太阳能热水器，而第一片太阳能电池的出现则是在1954年，其发展过程简列如下： 1893年? 法国科学家贝克勒尔发现“光生伏特效应”，即“光伏效应”。 1930年?? 肖特基提出Cu2O势垒的“光伏效应”理论。同年，朗格首次提出用“光伏效应”制造“太阳电池”，使太阳能变成电能。 1941年???奥尔在硅上发现光伏效应。 1954年???恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室，首次制成了实用的单晶太阳能电池，效率为6%。 同年，韦克尔首次发现了砷化镓有光伏效应，并在玻璃上沉积硫化镉薄膜，制成了第一块薄膜太阳能电池。;1958年??? 太阳能电池首次在空间应用，装备美国先锋1号卫星电源。 1959年?? 第一个多晶硅太阳能电池问世，效率达5%。 1975年?? 非晶硅太阳能电池问世。 1980年 单晶硅太阳能电池效率达20%，砷化镓电池达22.5%，多晶硅电池达14.5%，硫化镉电池达9.15%。 1998年??? 单晶硅光伏电池效率达25%。荷兰政府提出“荷兰百万个太阳光伏屋顶计划”，到2020年完成。 自50年代研制成第一块实用的硅太阳能电池、60年代太阳能电池进入空间应用、70年代进入了地面应用，太阳能光电技术已历经了半个世纪。发展到今天，世界太阳能电池组件的年产量达200MW以上。 ;;航空航天 卫星供电电池 航天飞机供电 探测器电池;太阳能汽车;家电方面 手提灯 节能灯 充电器;太阳能电池材料;;;第一代：单晶硅和多晶硅两种，大约占太阳能电池产品市场的89.9％。第一代太阳能电池基于硅晶片基础之上，主要采用单晶体硅、多晶体硅为材料。其中，单晶硅电池转换效率最高，可达到18－20％，但生产成本高。 第二代：薄膜太阳能电池，占太阳能电池产品市场的9.9%，第二代太阳能电池基于薄膜技术基础之上，主要采用非晶硅及氧化物等为材料。效率比第一代低，最高的的转化效率为13％，但生产成本最低。 第三代：铜铟硒（CIS）等化合物薄膜太阳能电池及薄膜Si系太阳能电池。主要处于实验室生产状态， 由于其的高效率，低成本而存在潜在庞大的经济效应。;;硅太阳能电池可分为： 单晶硅太阳能电池 多晶硅薄膜太阳能电池 非晶硅薄膜太阳能电池 1.单晶硅太阳能电池 单晶硅太阳能电池，是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池，其转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的热加工处理工艺基础上。;单晶硅太阳能电池; 生产工艺：;单晶硅太阳能电池;单晶硅太阳能电池;多晶硅薄膜太阳电池是将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳电池的激活层, 不仅保持了晶体硅太阳电池的高性能和稳定性, 而且材料的用量大幅度下降, 明显地降低了电池成本。多晶硅薄膜太阳电池的工作原理与其它太阳电池一样, 是基于太阳光与半导体材料的作用而形成光伏效应。 常用制备方法： 低压化学气相沉积法（LPCVD） 等离子增强化学气相沉积（PECVD） 液相外延法（LPPE） 溅射沉积法;反应气体SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4 ↓（一定保护气氛下） 硅原子沉积在加热的衬底上 （ 衬底材料为Si、SiO2、Si3N4等 ） 存在问题：非硅衬底上很难形成较大的晶粒，容易在晶粒间形 成空隙。 解决方法：先用 LPCVD 在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层， 再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后 再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜。 ;德国费莱堡太阳能研究所采用区馆再结晶技术在FZSi衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19％。 日本三菱公司用上述方法制备的电池，效率达16.42%。 美国 Astropower 公司采用